Cтраница 2
Действие элемента первого типа заключается в одноразовом вычислении арифметического выражения и присвоении его значения параметру цикла. [16]
Действие элемента третьего типа заключается в том, что вычисляется значение арифметического выражения и присваивается параметру цикла, затем вычисляется значение логического выражения и, если оно есть истина, выполняется внутренний оператор цикла. Если значением логического выражения окажется ложь, то считается, что элемент уже прекратил свое действие. После выполнения внутреннего оператора процесс повторяется. [17]
Действие элементов группы кислорода на парафины исследовал Siebeneck 97, выводы которого соответствуют выводам других исследователей. Парафин, нагретый до 135, может быть окислен воздухом или кислородом; с воздухом скорость окисления несколько меньше. Более продолжительное1 окисление повышает количество омыляющегося вещества в продукте. Образующиеся кислоты представляют собой насыщенные жирные кислоты, а летучий продукт состоит из кислот этого же ряда, но с меньшим молекулярным весом, а также из небольших количеств воды. Летучие вещества соответствуют приблизительно 7 % взятого парафина. [18]
Действие элемента упругой обратной связи регулятора происходит следующим образом. Через игольчатый клапан 9, степень открытия которого может быть установлена вручную, жидкость из камеры А будет перетекать по каналу 7 в камеру Б между сильфонами 16 и 17, стремясь создать там давление, равное давлению в камере А. Шток 12, соединенный с дном сильфона 16, начнет перемещаться влево, в результате чего заслонка 13 будет прикрывать сопло 19, производя дальнейшее увеличение давления воздуха в линии к исполнительному механизму. Эта скорость зависит от степени открытия игольчатого клапана 9 и от разности давлений в камерах Л и Б, которая, в свою очередь, зависит от величины отклонения пера от задающей стрелки. [19]
Действием элемента симметрии называется соответствующее ему симметрическое преобразование. Элементами симметрии многогранников являются: плоскость симметрии, оси симметрии и центр инверсии. [20]
Действием имеющихся элементов симметрии из одной грани получим 12 граней, пересекающихся в параллельных ребрах - дигексагональную призму. [21]
Рассмотрим действие элемента ф В на все ед, где А пробегает R. [22]
Принцип действия элементов, носящих название струйная трубка, заключается: в преобразовании кинетической энергии потока жидкости в потенциальную энергию, проявляющуюся в форме давления жидкости при ее торможении. [23]
Принцип действия элементов поясним по схеме инвертора НЕ с диодным оптроном ОПТ на входе, рис. 16.6, а. [24]
Принцип действия элементов поясним по схеме инвертора НЕ с диодным оптроном ОПТ на входе, рис. 16.6, а. При достаточном входном сигнале х - 1 под действием света ФВ пропускает ток в базу транзистора, открывая его, y - Q. [25]
Направление действия элементов указывается стрелкой. В ряде устройств необходимо, чтобы последующие элементы оказывали влияние на предыдущие. Это достигается с помощью обратной связи ( рис. В. X fcoc Y присоединяется к предыдущим, где fcoc - коэффициент обратной связи. В зависимости от его знака образуется положительная или отрицательная обратная связь. [26]
Принцип действия элемента И2Л аналогичен принципу действия элемента ДТЛ. Здесь базовый ток выходного транзистора VT2 обеспечивается выходной цепью р-п - р транзистора [ VT ], работающего в режиме генератора постоянного тока. Такая комбинация р-п - р и п-р - п транзисторов, реализуемая с помощью специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь. [27]
Принцип действия элементов поясним по схеме инвертора НЕ с диодным оптроном ОПТ на входе, рис. 16.6, а. При достаточном входном сигнале х - 1 под действием света ФВ пропускает ток в базу транзистора, открывая его, у-0. [28]
Принцип действия элемента И2Л аналогичен принципу действия элемента ДТЛ. Здесь базовый ток выходного транзистора VT2 обеспечивается выходной цепью р-п - р транзистора ( VT, работающего в режиме генератора постоянного тока. Такая комбинация р-п - р и п-р - п транзисторов, реализуемая с помощью специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь. [29]
Принцип действия элемента памяти на ферритовом кольце показан на рис. 10.5. Кольцо пронизано тремя проводниками, образующими одновитковые обмотки. Запись информации осуществляется путем1 намагничивания кольца в одном из направлений. [30]