Вентильное действие

Cтраница 2

К ионным приборам вентильного действия относятся газотроны, представляющие собой нерегулируемый ионный прибор с накаленным катодом, заполненный парами ртути или инертным газом, а также тиратроны, отличающиеся от газотронов тем, что снабжаются управляющими сетками и являются регулируемыми приборами. [16]

К ионным приборам вентильного действия также относятся газотроны, представляющие собой нерегулируемый ионный прибор с накаленным катодом, заполненный, парами ртути или инертным газом. Тиратроны относятся также к ионным приборам, но в отличие от газотронов имеют управляющие сетки и поэтому являются регулируемыми приборами. [17]

Вольтамперные характеристики полупроводниковых. [18]

Переход между этими областями обладает вентильным действием. Нижняя выводная шпилька 6 непосредственно ввернута в основание вентиля. [19]

Нелинейность выпрямителя, связанная с его вентильным действием и приводящая к особенностям работы выпрямителя в режимах прерывистых токов. [20]

Момент равновесного состояния моста фиксируется нулевым органом вентильного действия. Благодаря диоду Лг на входе нулевого органа последний реагирует только на определенный знак напряжения разбаланса моста. В начале цикла, когда ползунок реохорда находится в начальной точке и дальше от точки компенсации, потенциал катода диода Лг остается положительным по отношению к аноду, и диод не проводит. После момента уравновешивания полярность электродов диода изменяется и он начинает проводить. Чтобы момент отпирания диода максимально приблизить к положению равновесия и повысить крутизну начального импульса тока, в измерительную диагональ моста последовательно с диодом включено переменное напряжение 0 5 В. [21]

Наиболее существенным вопросом с точки зрения теории вентильного действия оксидных слоев является вопрос о наличии и размерах пор в оксидных слоях, образованных анодным окислением. [22]

Схема рис. 2 - 40, в основана на вентильном действии полупроводниковых диодов. Нормально через диод проходит ничтожный обратный ток от сети. [23]

Атомы трех -, четырех - и пятивалентных. [24]

Наличие у полупроводников двух типов электропроводности используется для создания приборов с вентильным действием. Для этих целей создается контакт между двумя полупроводниками с различными типами электропроводности. В зоне перехода образуется тонкий слой, называемый запирающим. [25]

Газотрон и его условное обозначение. [26]

При повышении напряжения оно может достигнуть такой величины, при которой газотрон теряет свое вентильное действие и начинает проводить ток в обоих направлениях. [27]

При применении протекторной защиты с включением полупроводниковых диодов в цепь между защищаемым сооружением и протектором необходимо проверить вентильное действие указанных диодов. Эта проверка должна осуществляться не реже одного раза в два месяца. [28]

При применении протекторной защиты с включением полупроводникового диода в цепь между защищаемым сооружением и протектором необходимо проверить вентильное действие указанных диодов. [29]

Существование тонкого пограничного слоя, в котором имеет место переход проводимости одного типа в другой, является основой вентильного действия такой границы. [30]

Страницы: 1 2 3 4