Алкоксисилап
Cтраница 1
Переэтерификация алкоксисилапов протекает в присут к-т и оснований; при действии 1идридов металлов хлор - и алкоксисилаиы восстанавливаются, напр. [1]
На рис. 10 - 7 приводится зависимость поверхностной концентрации бора при различных температурах диффузии от процентного содержания три-метилбората в растворе алкоксисилапа. Осаждение проводили в течение 10 мин. Можно видеть, что значение поверхностной концентрации легко регулируется в пределах двух порядков величин. На рис. 10 - 8 приводятся аналогичные данные для трииропилбората с низким давлением пара. [3]
Процесс диффузии в потоке газа-посителя может быть разделен на две стадии. На первой стадийна поверхности полупроводниковой пластины наносится тонкий диффузионный слон. Па второй стадии пластина нагревается в атмосфере, не содержащей примеси, и легирование осуществляется за счет перераспределения тех примесей, которые были введены в поверхностный слой на первой стадии. Лучшие результаты по ш / нроизвэдпмостя процесса диффузии получаются тогда, когда на поверхности полупроводниковой пластины образуются промежуточные слои окиспого стекла, легированные требуемыми примесями. Такая методика имеет ряд преимуществ по сравнению с методом одностадийной диффузии [ 8Г ]: окислое стекло защищает поверхность пластины от испарения или химической реакции, легирование идет не из локальных частиц примеси, а из равномерно легированной массы, что позволяет улучшить воспроизводимость и контроль процесса. В связи с этим большое внимание было уделено разработке способов нанесения легированных окислов и использованию полученных слоев в качестве источников диф-фузанта в процессе последующего нагревания. Такие легированные окислы получаются при одновременном разложении алкоксисилапа и летучих МОС. Последующий нагрев пластины с покрытием обеспечивает диффузию примеси в полупроводниковую пластину. Поверхностная концентрация после этого определяется в основном по коэффициенту концентрации ( примесному уровню) и диффузии примеси в окисле. [4]
Страницы: 1