Использование - плазма
Cтраница 4
 |
Закпсимость скорости роста плешш от даиленпя пароп тетраптокспенлана при температурах подложки.| Температурная зависимость скорости роста пленки при данлешш тетравтокспсилана ( мм рт. от.. [46] |
С, давлении 2 - 10 г мм рт. ст. Осаждение велось со скоростью 10 - 80 А / мин. Установлено, что при осаждении окиси кремния в плазме аргона скорость роста значительно меньше, чем при использовании кислородной плазмы. [47]
Разработан для промышленного осуществления ряд технологических процессов с использованием низкотемпературной плазмы. Это, в первую очередь, эндотермические реакции простые или кон-секутивные, для которых равновесный выход продукта максимален при высоких температурах. К ним относится прямой синтез окиси азота из воздуха, получение ацетилена из метана, восстановление окислов металлов и металлоидов и др. К реакциям с использованием высокоионизированной неравновесной плазмы относятся, например, получение ионных соединений инертных газов, реакции на поверхности твердой или жидкой фазы ( например, активизация поверхности полимеров) и многие другие химические реакции. [48]
Эффекты радиального расширения пучка и формирования виртуального катода не оказывают существенного влияния при транспортировке пучка в плазме. Инжекция ИПЗЧ в плазму обеспечивает эффективную нейтрализацию его пространственного заряда. В этом случае ограничения на транспортировку накладываются различными неустойчивостями, которые подразделяют на гидромагнитные и кинетические. Использование плазмы увеличивает возможности транспортировки. [49]
Рассмотрены различные типы вакуумных и плазменных электронных г риборов физической электроники, особенности их работы, основные характеристик, классификация, параметры и схемы включения. Дано описание процессов группирования электронов в пучках, взаимодействия электронных потоков с полями элек родина-мических систем. Один из разделов посвящен усилительным клисгронам с распределенным взаимодействием, приведено последовательное описание процессов и методики их расчета. Рассмотрены физические основы применения и использования плазмы для генерирования и усиления СВЧ-колебаний, а также основные принципы работы плазменных приборов. [50]
В процессе катодного распыления возникающие в плазме ионизированные атомы газа ускоряются под действием электрического поля и падают на поверхность катода, выбивая другие атомы. Эти вторичные атомы, вылетающие с поверхности мишени, поступают к поверхности подложки и конденсируются на ней, образуя пленку. Существуют другие типы источников, в которых генерируется плазма различного состава и ускоряется затем до поверхности подложки. Таким образом, такие источники основаны на использовании плазмы; вопрос связи поверхности мишени и источника - это по существу вопрос взаимодействия плазмы о поверхностью. [51]
В качестве катода также может быть использован обычный воздушный электрод с известными катализаторами. Помимо низкой концентрации реагентов, использование плазмы крови в ТЭ ограничено высокой вязкостью крови и недостаточными ее буферными свойствами. [52]
Обычный газ может быть заключен в сосуд, стенки которого ограничивают движение его частиц. Ее движение, однако, может быть ограничено магнитным полем. Важнейшим свойством плазмы является ее взаимодействие с электрическим и магнитным полями. Если ранее в электротехнике использовали в качестве проводников металлы, то теперь открывается возможность использования плазмы. [53]
Среди них следует отметить прежде всего работы С. Штемлера и др. Интерес к электромагнитным излучениям ( ЭМИ) непрерывно растет. Причиной этого является не столько академическая любознательность ученых к очень интересному экологическому фактору, но и сугубо практические побуждения. ЭМИ непрерывно находит новые сферы применения в жизни человека: от бытовых СВЧ-печей до использования СВЧ-нагрева плазмы в токамаках. Открываются широкие возможности применения электромагнитного ( ЭМ) фактора в клинической медицине. [54]
Страницы: 1 2 3 4