Использование - подложка
Cтраница 4
Влияние ориентации подложки на плотность дефектов упаковки зависит от многих факторов. В опытах с использованием химически полированных подложек плотность дефектов упаковки мала ( 10 - 100 см-2) и ориентационный эффект отсутствует. В другой серии опытов с механически полированными подложками наблюдалась сильная ориентационная зависимость плотности ( рис. 2.29), однако воспроизводимость этих результатов была недостаточно высокой чтобы рассматривать их количественно. [46]
Частично они устраняются при использовании эпитаксиальных подложек. Широкое распространение ПЗС - и ПЗИ-фотопри-емников в настоящее время сдерживает недостаточно высокое качество их изготовления. [47]
Однако при уменьшении размеров электрическое поле в области стока возрастает и скорость дрейфа носителей выходит на насыщение, поэтому эффект снижения подвижности уже не играет определяющей роли. Особенность КНС-техноло-гии заключается в использовании изолирующей подложки. В настоящее время МОП-структуры пока не являются главным направлением применения КНС-технологии, однако на ее основе были созданы вентильные матрицы с 8 - Ю3 вентилей и временем задержки 0 9 нс / вентиль. [49]
Наилучшие результаты были получены при использовании подложек, изготовленных из серебра, меди и никеля. При использовании достаточно интенсивного бомбардирующего пучка наблюдалось заметное изменение масс-спектра, что связано, по-видимому, с частичным разрушением молекул в месте удара бомбардирующей частицы и взаимодействием образующихся осколков, образованием новых химических соединений. Таким образом, в процессе бомбардировки доля испорченной поверхности увеличивается. В результате интенсивность масс-спектральных линий, характерных для исследуемого вещества, уменьшается, а интенсивность линий, характерных для облученных участков, возрастает. [50]
Процесс нанесения пленки аморфного или поликристаллического вещества на нейтральную подложку называют пароосаждением. Частным случаем такого покрытия подложки при использовании ориентированных подложек является эпитаксиальный способ. В случае диэлектрических фаз его называют пиролизом, поскольку используют достаточно высокие температуры образования продуктов осаждения. [51]
 |
Амплитудно-частотная характери-стика полосового ИПФ на ПАВ.| Простейший вариант ГИС интегрального кварцевого генератора с пьезотрансформатором. [52] |
Разработка ИКГ основана на возможности расположения пленочных элементов схемы на участках пьезоэлемента, свободных от электродного покрытия. В низкочастотных ИКГ ( до 800 кГц) целесообразно использование цель-нокристаллической подложки, на которую наносятся только пленочные элементы схемы. Дискретные элементы схемы, если они имеются, при этом располагаются на вспомогательных частях конструкции генератора. Высокочастотные ИКГ конструируются с использованием пьезовибраторов на основе захвата энергии. [53]
Использование ультрафильтрационных мембран в качестве пористых подложек для динамически образованных гиперфильтрационных мембран также неприемлемо вследствие их дороговизны. На современном этапе исследований наиболее удовлетворительные результаты достигаются при использовании подложек с порами размером 1 мкм и менее. [55]
Слюдинитовая бумага отличается от обычной целлюлозной повышенной толщиной - от 30, до 70 мкм и отсутствием целлюлозного волокна. Проклеиванием бумаг или картонов связующими веществами и горячим прессованием с использованием иногда изоляционных подложек получают ряд материалов: коллекторный, прокладочный, формовочный и гибкие стеклослюдиниты, слюдинитофолий, стеклослюди-нитоэлектрокартон и др. В качестве связующего применяют щеллач-ную, феноло-формальдегидно-эпоксидную, глифталевую и кремнийор-ганическую смолы и лаки. Гибкие слюдинитовые материалы выполняют на подложках - бумажной и стеклотканевой. [56]
Фоторезист может экспонироваться любым источником света, имеющим достаточную мощность в области спектра, близкой к ультрафиолетовой. Большие по площади источники света применяются редко и только в случае использования подложек больших размеров. Рисунки с тонкими линиями экспонируются точечным источником света, например, от угольной дуги, лампы с высоким давлением, заполненной парами ртути, ксеконовой импульсной лампы, которые создают поток почти коллимированного света, если они находятся на достаточном удалении от подложки. [57]
Сцепление металла, формирующего проводники ИАМ, с материалом подложки может обеспечиваться либо механической, либо химической связью. Для создания механической связи, характерной при создании полосковых антенн по толстопленочной технологии, необходимо использование подложки с шероховатой поверхностью. [58]
Остановимся более подробно на способах приготовления подложек для выращивания пленок феррогранатов. При этом совпадение постоянных решеток подложек и пленок обеспечивается либо изменением состава пленок, либо использованием подложек твердых растворов гранатов. Монокристаллы этих подложек выращивают методом Чохральского или бестигелыюй зонной плавкой. Окончательным этапом механической обработки является полирование оксидом хрома или диоксидом кремния с размером частиц менее 0 5 мкм. [59]
Температура, необходимая для образования металлической пленки из одного и того же АЮС, при использовании подложки, изготовленной из стекла, тефлона или солей ( например, хлористого натрия), на несколг ко десятков градусов выше, чем в случае металлической подложки. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5