Cтраница 2
При расчете и проектировании резистора следует учитывать, что его номинальное сопротивление не может быть определено заранее с высокой степенью точности при массовом производстве полупроводниковых ИМС. Это вызвано многими факторами. Наибольшая погрешность обусловлена неточностью процесса диффузии. В процессе производства чрезвычайно сложно поддерживать необходимые концентрации атомов примеси и глубины диффузии. Это определяет точность получения заданной величины удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя, малые изменения которого могут вызвать заметные отклонения сопротивления резистора от номинального значения. Кроме того, на точность получения номинального сопротивления влияет точность процессов фотолитографии. Для резисторов с узкой диффузионной полоской влияние ошибок выражается сильнее, чем для резисторов с более широкой полоской. Следовательно, проектирование диффузионного резистора предполагает ряд компромиссов и оптимальных решений, которые часто требуют использования более широких и длинных резистивных полосок, что позволяет уменьшить пределы допусков. Однако, несмотря на трудности обеспечения малых пределов допусков на номинальные сопротивления резисторов, малые пределы допусков на отношения номиналов получают сравнительно легко. Например, в процессе диффузии, предназначенной для изготовления резистора с номинальным сопротивлением 10 кОм и точностью 5 %, могут быть получены резисторы с номинальными сопротивлениями 5 и 15 кОм и с той же точностью. Причина этого заключается в том, что отклонения в процессе изготовления, влияющие на номинальное сопротивление одного резистора, будут аналогично влиять и на все остальные резисторы, расположенные на той же подложке. [16]