Полупроводниковый алмаз
Cтраница 1
Полупроводниковые алмазы, полученные методом ионной бомбардировки / / ФТТ. [1]
Электролюминесценция синтетических полупроводниковых алмазов при их возбуждении переменным полем напряжением 600 - 100 В отличается стабильностью, сравнительно высокой интенсивностью и достаточной для измерения ее характеристик длительностью. По характеру спектрального распределения свечения изучавшиеся образцы делятся на две группы. [2]
 |
Параметры материалов-кандидатов для фотовольтаического. [3] |
Интерес к исследованиям методов синтеза и физико-химических свойств различных алмазных материалов обусловлен, с одной стороны, необычными физико-химическими свойствами алмаза, благодаря которым он являются привлекательным объектом фундаментальной науки, а с другой стороны - богатыми перспективами прикладного использования таких объектов. При этом такая важная характеристика электронных свойств полупроводникового алмаза, как подвижность носителей ( а алмаз имеет рекордно высокие подвижности как электронов, так и дырок), определяется структурным совершенством алмазной кристаллической решетки. Область возможных применений алмазных пленок в научных исследованиях и современных технологиях необычайно широка. Это интегральные схемы, включающие в себя элементы на основе алмаза, которые могут привести к революционным изменениям в области миниатюризации современных компьютеров, а также к развитию силовой электроники. [4]
При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440 - 450, 480, 500 - 520, 540, 620 - 640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототек соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов n - типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания As в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более. [5]
При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440 - 450, 480, 500 - 520, 540, 620 - 640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототок соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов п-типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания As в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более. [6]
Это связано с перегруппировкой поверхностных атомов в результате обрыва направленных связей на поверхности. Такая перестройка поверхности происходит в кристаллах германия, кремния, алмаза и интерметаллических соединений с решеткой типа ] алмаза. Важно отметить, что по крайней мере в некоторых случаях поверхность кристаллов с решеткой типа алмаза, покрытая монослоем кислорода, не показала изменений межплоскостных расстояний на поверхности. Электроотрицательные атомы кислорода насыщают разорванные связи и позволяют поверхностным атомам занимать те же положения, что и в объемной решетке. Для полупроводникового алмаза дифракционная картина с характеристиками, соответствующими объемной решетке, была получена после нагревания и откачки без применения специальных методов очистки. Однако в дальнейшем было показано, что эта поверхность была загрязненной. [7]
Страницы: 1