Высоковольтная десорбция
Cтраница 1
Высоковольтная десорбция выравнивает 110 и окружающие области. Неэмитти-рующий центр эмиссионного снимка имеет большие размеры, чем обычно в случае термически обработанного эмиттера. Последний стремится к такой конфигурации, при которой грани с низкими индексами оказываются плоскими, сводя к минимуму полную свободную энергию поверхности. В случае же острия, подвергнутого высоковольтной обработке, плоскости 211 участвуют в образовании острых ребер. Вследствие этого усиливается электронная эмиссия и рассматриваемые поверхности становятся менее четкими, чем на снимках с термически обработанных объектов, где грани 211 являются плоскими. Подобные характеристики служат удобными показателями формы, а также чистоты поверхности, полученной в результате высоковольтной десорбции; при этом нет необходимости наблюдать ионное изображение. [1]
Формальная теория высоковольтной десорбции ( описанная в разделе III, А, 3) позволяет предсказать стабильность адсорбированных атомов в сильном поле или сделать на основании опыта вывод о характере потенциальной кривой адсорбированного атома. [2]
Для более электроотрицательных адсорбированных атомов ( в особенности если они сильно связаны с поверхностью) высоковольтная десорбция может вызвать удаление не только этих атомов, но и комплексов, состоящих из адсорбированного атома и атома металла. [3]
Совершенно ясно, что при имеющейся в настоящее время информации о поведении веществ в очень сильных полях к количественной интерпретации высоковольтной десорбции следует подходить с осторожностью. Тем не менее теория высоковольтной десорбции развита уже достаточно хорошо, чтобы дать удовлетворительное качественное объяснение процессов, по всей вероятности протекающих в ионном проекторе; это и является самым важным при использовании такого проектора для прямого наблюдения поверхностных явлений. [4]
Совершенно ясно, что при имеющейся в настоящее время информации о поведении веществ в очень сильных полях к количественной интерпретации высоковольтной десорбции следует подходить с осторожностью. Тем не менее теория высоковольтной десорбции развита уже достаточно хорошо, чтобы дать удовлетворительное качественное объяснение процессов, по всей вероятности протекающих в ионном проекторе; это и является самым важным при использовании такого проектора для прямого наблюдения поверхностных явлений. [5]
Светлая зона вокруг 100, образованная из плоскостей с низкой работой выхода и, следовательно, с высокой энергией десорбции иона, представляет собой области, имеющие очень маленький радиус кривизны. Эта форма благоприятствует выравниванию скоростей высоковольтной десорбции на разных атомарных центрах, потому что такое изменение локальной кривизны, а значит, и поля, сглаживает различия в энергии, необходимой для удаления ионов металла. [6]
 |
Десорбция комплекса вольфрам - азот при наложении высоких.| Десорбция азота под влиянием поля без нарушения решетки вольфрама. [7] |
Установив, что адсорбированные атомы азота могут быть наблюдаемы в ионном проекторе, можно вновь вернуться к вопросу, затронутому в разделе III, Б, 3, а именно к вопросу об удалении атомов решетки при высоковольтной десорбции адсорбированного вещества. Атом А, достаточно прочно связанный с поверхностью, чтобы выдержать высокие напряжения, которые необходимы для создания гелиевого ионного изображения, может влиять на когезионные силы самой поверхности. [8]
Для адсорбированного атома этот член выражает снижение энергии адсорбата в поле как путем перераспределения электронов, так и за счет взаимодействия поля с полным удельным зарядом на атоме. Полный заряд на адсорбированном атоме и его отражение в металле образуют диполь. Непосредственно поле взаимодействует только с зарядом на адсорбированном атоме, который можно приближенно выразить через известный дипольный момент Мп и длину связи; но заряд-изображение со своей стороны испытывает влияние как сдвига электронного распределения в металле, так и изменения равновесного положения адсорбированного атома ( со своим зарядом) в поле. Даже в том случае, когда можно не учитывать полный заряд на адсорбированном атоме ( либо если он мал, либо при исследовании высоковольтной десорбции самого металла), введение поправок на поляризацию весьма затруднительно. [9]
Когда ионный уровень снижается до атомного, происходит высоковольтная ионизация и ион удаляется. Таким образом, здесь начинает сказываться глубина потенциальной ямы, связывающей атом, а также энергия ионизации, и именно эти величины оказываются во многих системах теми скрытыми факторами, которые делают энергию активации десорбции более высокой, чем это нужно для возникновения изображения. Поля, необходимые для десорбции загрязнений, в ряде случаев способны вызвать испарение чистой поверхности самого эмиттера, и это обстоятельство устанавливает верхний предел. Однако электрическое поле спадает при переходе от верхушки острия к основанию. Как ясно из рис. 58, высоковольтная десорбция действительно очищает только маленький кончик на самой верхушке эмиттера. Поэтому для того, чтобы получить поверхность, которая уже не будет загрязняться за счет диффузии с основания, необходимо попеременно проводить нагревание и высоковольтную десорбцию. [10]
Высоковольтная десорбция выравнивает 110 и окружающие области. Неэмитти-рующий центр эмиссионного снимка имеет большие размеры, чем обычно в случае термически обработанного эмиттера. Последний стремится к такой конфигурации, при которой грани с низкими индексами оказываются плоскими, сводя к минимуму полную свободную энергию поверхности. В случае же острия, подвергнутого высоковольтной обработке, плоскости 211 участвуют в образовании острых ребер. Вследствие этого усиливается электронная эмиссия и рассматриваемые поверхности становятся менее четкими, чем на снимках с термически обработанных объектов, где грани 211 являются плоскими. Подобные характеристики служат удобными показателями формы, а также чистоты поверхности, полученной в результате высоковольтной десорбции; при этом нет необходимости наблюдать ионное изображение. [11]
Когда ионный уровень снижается до атомного, происходит высоковольтная ионизация и ион удаляется. Таким образом, здесь начинает сказываться глубина потенциальной ямы, связывающей атом, а также энергия ионизации, и именно эти величины оказываются во многих системах теми скрытыми факторами, которые делают энергию активации десорбции более высокой, чем это нужно для возникновения изображения. Поля, необходимые для десорбции загрязнений, в ряде случаев способны вызвать испарение чистой поверхности самого эмиттера, и это обстоятельство устанавливает верхний предел. Однако электрическое поле спадает при переходе от верхушки острия к основанию. Как ясно из рис. 58, высоковольтная десорбция действительно очищает только маленький кончик на самой верхушке эмиттера. Поэтому для того, чтобы получить поверхность, которая уже не будет загрязняться за счет диффузии с основания, необходимо попеременно проводить нагревание и высоковольтную десорбцию. [12]
Страницы: 1