Дефект - решетка
Cтраница 4
 |
Влияние температуры на степень неупорядоченности а. [46] |
Число дефектов решетки, а поэтому и электропроводность кристалла являются функцией температуры, они возрастают с ее повышением. Из табл. 5 видно, что степень неупорядоченности а ( отношение числа неупорядоченных катионов, занимающих в решетке промежуточные положения или катионных пустот к общему числу катионов элементарной ячейки кристаллической решетки) в кристаллах AgBr и КС1 быстро возрастает с повышением температуры, причем соответственно этому повышается ионная ( электролитическая) проводимость таких кристаллов. [47]
 |
Интерферограммы хорошей ( б и плохой ( а дифракционных решеток. [48] |
Вследствие дефектов решетки инструментальный контур иногда бывает асимметричным и может обладать довольно яркими крыльями, простирающимися на несколько ангстрем. Иногда появляются асимметричные спутники. [49]
К дефектам решетки обычно не относят упругие искажения, возникающие под влиянием внешних нагрузок, температурного, воздействия или объемных изменений при фазовых превращениях. [50]
Акцептор - дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны. [51]
Донор - дефект решетки, способный при возбуждении отдавать электрон в зону проводимости. [52]
 |
Дефекты по Френкелю. [53] |
Такого рода дефекты решетки называются дефектами по Френкелю. [54]
Примеси, дефекты решетки, выступающие в роли донорных или акцепторных центров, находящиеся как в объеме кристаллов, так и на их поверхности, приводят к образованию локализованных энергетических состояний, расположенных в запрещенной зоне. Способы построения волновых функций основного состояния донорных центров рассмотрены в обстоятельном обзоре [1148] и цитируемых в нем работах. [55]
Дислокации как дефекты решетки и элементарные носители пластической деформации определяют деформационные и прочностные свойства кристаллических тел. С другой стороны как физические объекты они образуют в деформируемом кристалле ансамбль частиц. [56]
Как и дефекты решетки полупроводника, нарушения в структуре расплава обусловливают в первую очередь его электропроводность. Нарушений в расплаве несравненно больше, чем в кристалле, поэтому электропроводность расплавленных солей велика и с повышением температуры растет. Было предложено ( Б. Ф. Марков и Ю. К. Делимарский) считать долю свободных, не занимающих равновесного положения, ионов степенью диссоциации расплава и оценивать эту величину на основании электропроводности. В табл. XVII, 11 приведены величины удельных электропровод-костей некоторых расплавленных солей при температурах, близких к температурам плавления. Эти величины в десятки раз превышают удельные электропроводности водных электролитов средних концентраций. Однако если учесть высокую концентрацию расплавленных солей и высокую их температуру, то следует признать электропроводность расплавов сравнительно низкой. Действительно, эквивалентные электропроводности галогенидов калия при 750 - 900 С составляют примерно 90 - 120 см. / г-экв ом для хлоридов кальция, стронция и бария при температурах плавления - от 50 до 60 см2 / г-экв ом. Особенно быстро увеличивается электропроводность при температурах, незначительно превышающих температуры плавления. [57]
Немаловажна роль дефектов решетки в процессах диффузии и самодиффузии в твердом теле. [58]
 |
Схематичное изображение поверхности обработанного металлического кристалла ( по Рейтеру. [59] |
Для исследования дефектов решетки в непосредственной близости к поверхности применяют дифракцию электронов, так как они в противоположность рентгеновским лучам поглощаются значительно сильнее. По ширине интерференционных линий можно оценить величину когерентно рассеивающих объемов решетки. Можно показать, что эти участки имеют величину только в несколько элементарных ячеек. [60]
Страницы: 1 2 3 4