Дефект - структура - кристалл
Cтраница 1
Дефекты структур кристаллов также влияют на электрическую проводимость полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того или иного вида проводимости различают полупроводники типа и-типа и полупроводники р-типа. [1]
Дефекты структур кристаллов также влияют на электропроводность полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того или иного типа проводимости различают полупроводники n - типа и полупроводники р-типа. [2]
 |
Зонная схема собственной проводимости проводника. [3] |
Дефекты структур кристаллов также влияют на электрическую проводимость полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того или иного вида проводимости различают полупроводники n - типа и полупроводники р-типа. [4]
Дефекты структуры кристаллов, образованные микрочастицами. [5]
Дефекты структур кристаллов также влияют на электропроводность полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того или иного типа проводимости различают полупроводники и-типа и полупроводники р-типа. [6]
Дефекты структур кристаллов также влияют на электрическую проводимость полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того или иного вида проводимости различают полупроводники n - типа и полупроводники р-типа. [7]
Дефекты структуры кристалла стехиометрического состава разделяются на два типа. Во-первых, это дефекты ( так называемые дефекты Шоттки), которые содержат анионные и катионные вакансии в эквивалентных количествах, и, во-вторых, дефекты по Френкелю, которые содержат дефекты либо в одной катион-ной, либо в одной анионной подрешетке, а парные дефекты состоят из вакансий или внедренных атомов одного и того же компонента. [8]
Наличие примесей и дефектов структуры кристалла приводит к дополнительному рассеянию экситонов, которое, так же как и рассеяние на фононах, необходимо учитывать при изучении диффузии экситонов. [9]
Можно считать, что во многих случаях дефекты структуры кристалла и являются такими активными центрами. Однако никоим образом нельзя все каталитические явления сводить к дефектам структуры, так как огромную роль в катализе играет химическая природа катализатора и, во многих случаях, геометрическое соответствие реагирующих молекул и активных центров. Большой интерес как катализаторы представляют вещества с так называемой открытой структурой, у которых один сорт частиц ( например, анионы) образует правильную кристаллическую структуру, а другой сорт частиц ( в данном случае катионы) расположен в этой структуре по принципу случайного распределения. К веществам с такой структурой принадлежат цеолиты, к которым можно отнести алюмосили-катные катализаторы, нашедшие широкое применение в нефтяной промышленности. [10]
Ионная эмиссия, как это было нами показано, связана с наличием дефектов структуры кристалла, так как дефектные ионы обладают большей подвижностью, а энергия образования таких ионов значительно ниже энергии решетки, и поэтому при повышении температуры может наблюдаться испарение ионов. Теоретическое исследование процесса эмиссии так же показало, что в присутствии различных, очень небольших количеств примеси, может произойти резкое увеличение ионного тока, так как это связано с увеличением числа дефектов структуры. [11]
 |
Уровни энергии электронов по зонной теории. [12] |
Зонная теория связывает акцепторные уровни с энергетическими уровнями активатора, вводимого в кристалл в процессе приготовления люминофора, а донор-ные уровни - с дефектами структуры кристалла. В результате на уровнях активатора образуются вакансии для электронов, называемые ионизованными центрами свечения. Электроны из свободной зоны частично переходят в центры свечения ( переход 4) и рекомбинируют с ними. [13]
Между тем физическому содержанию проблемы часто отвечают разрывные или резко изменяющиеся функции распределения р ( Я) с максимумами в окрестностях точек, отвечающих значениям теплот адсорбции для ребер, граней или дефектов структуры кристаллов. Для них, конечно, можно написать интеграл (11.12), но при этом невозможно решить интегральное уравнение. [14]
Фазовый переход в твердом состоянии, обусловливающий нон-вариантное превращение в области малых концентраций второго компонента, нередко называют предплавлением. Эффект пред-плавления обычно связывается с резким возрастанием концентрации дефектов структуры кристалла по мере приближения его температуры к температуре плавления. Присутствие незначительного числа частиц второго компонента может облегчать возникновение дефектов в кристалле и с ростом его содержания приводить к снижению температуры фазового перехода Тп. Иногда малые добавки второго компонента стабилизируют фазу, существующую ниже температуры Гп; возрастание его содержания способствует повышению температуры соответствующего фазового перехода. [15]
Страницы: 1 2