Дефект - структура - реальный кристалл
Cтраница 2
Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты - это незанятые узлы решетки, или вакансии, и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут переместиться с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. Вышедший из узла атом называется дислоцированным, а незаполненное место, где он ранее находился, - вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вакансии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [16]
В последние годы развиты многие методы рентгеновского анализа для прямого или косвенного наблюдения дефектов структуры реальных кристаллов ( см. гл. [17]
 |
Иллюстрация закона Вульфа. [18] |
Таким образом, равновесная форма тел является результатом стремления поверхностной энергии к минимуму и непосредственно связана с их природой ( разная форма кристаллов) н агрегатным состоянием. Отсюда следует также, что дефекты структуры реального кристалла соответствуют областям избыточной ( поверхностной) энергии Гиббса. [19]
 |
Поверхностная энергия твердых тел. [20] |
Локальные напряжения в твердом теле, также как и грани, обладающие наибольшими значениями о, чаще всего являются центрами адсорбции. Наряду с гранями большое значение для адсорбции имеют дефекты структуры реальных кристаллов. [21]
Локальные напряжения в твердом теле, так же как и грани, обладающие наибольшими значениями а, чаще всего являются центрами адсорбции. Наряду с гранями большое значение для адсорбции имеют дефекты структуры реальных кристаллов. Они изучаются физикой твердого тела, и здесь следует отметить лишь основные положения, непосредственно связанные с адсорбцией. Наиболее простыми - типами являются точечные дефекты по Френкелю, образованные избыточными ( в междоузлиях) или внедренными атомами ( или ионами), и дефекты по Шоттки, образованные недостающими в решетке атомами - вакансиями. Организованные совокупности точечных дефектов представляют собой дислокации, краевые ( линейные) или винтовые. Дислокации выходят на поверхность в виде ступенек и обусловливают в основном несовершенство поверхностей. [22]
Представление о дырочных центрах, возникающих вследствие локализации положительных дырок на дефектах структуры, было привлечено автором в качестве рабочей гипотезы для объяснения устойчивости окраски и явлений люминесценции в фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллах. При этом предполагалось, что дырочные уровни захвата расположены в запретной зоне и не связаны с какими-либо чужеродными примесями, а обусловлены дефектами структуры чистых реальных кристаллов. [23]
Страницы: 1 2