Cтраница 1
Дефекты типа вакансий и внедренных атомов называются точечными. Кроме того, вакансии и атомы внедрения могут образовываться и в результате нейтронного облучения кристаллов. [1]
Первый процесс должен приводить к снижению микротвердости, второй - вследствие обеднения твердого раствора дефектами типа вакансий, - к ее повышению, поскольку число субмикроскопических пор всегда на много порядков меньше числа поглощенных ими вакансий. [2]
К этому следует добавить, что наложение давления при достаточно, высоких температурах ведет к аннигиляции дефектов типа вакансий и внедренных атомов, дислокаций и межкристаллитных границ. Это в свою очередь влияет на структурно-чувствительные превращения. [3]
Однако о взаимодействии дефектов различного рода известно очень мало; поэтому, например, процесс разрушения металлов будем рассматривать в дальнейшем с точки зрения роли дефектов типа вакансий, не вдаваясь в механизм их образования при деформировании. [4]
При действии на металлы ударной волны возникновение дефектов типа вакансий н дислокаций основано на трех механизмах высокоскоростной деформации: скольжении, двойнико-вании и сдвиге по атомным плоскостям. [5]
При действии на металлы ударной волны возникновение дефектов типа вакансий и дислокаций основано на трех механизмах высокоскоростной деформации: скольжении, двойниковании и сдвиге по атомным плоскостям. [6]
Чен [30, 31], а затем Дояма [ 32 определили N ( Q) аморфных и закристаллизованных сплавов. Обнаружив при этом существенные различия в Л ( 0), они сделали вывод, что дефекты типа вакансий, характерные для кристаллических металлов, в аморфных сплавах практически отсутствуют. [7]
Следует отметить также, что большую роль при полиморфных превращениях играет наличие дефектов в кристаллической решетке. По некоторым данным, дефектность решетки исходной модификации является необходимым условием для ее превращения в другую форму. Дефекты типа вакансий, внедренные в решетку атомы облегчают образование зародышей новой фазы, а дефекты типа дислокаций обеспечивают их рост. [8]
Позитроны обладают положительным зарядом, поэтому сближаясь с атомом, они аннигилируют преимущественно на валентных электронах, находящихся на внешних уровнях. Вследствие этого метод аннигиляции позитронов по сравнению с методом комптонов-ского рассеяния позволяет получить большую информацию о состояниях именно валентных электронов. Но в металле, где атомы ионизированы, внешние оболочки размываются1, и при наличии вакансий, позитроны преимущественно аннигилируют на электронах, которые захвачены этими вакансиями, другими словами, происходит аннигиляция электронов на вакансиях. Однако структура аморфных металлов, характеризующаяся высокой плотностью и неупорядоченностью, не содержит дефектов типа вакансий, существующих в кристалле. Поэтому важным является вопрос, действительно ли кривые угловой корреляции аннигиляции позитронов описывают состояния объемных электронов в аморфных сплавах или нет. [9]
Для низких и средних энергий бомбардируемых ионов преобладают / -, а с увеличением энергии иона возрастает вклад Ef. При соударении внедряемого иона с атомами матрицы он может передать им энергию, существенно превышающую пороговую энергию смещения атома с места его расположения в кристаллической решетке облучаемого материала. Первично выбитый атом, обладая достаточно большой энергией, может инициировать развитие целого каскада столкновений, сопровождающихся смешением большого числа атомов матрицы. Когда энергии соударяющихся атомов уменьшаются до нескольких ки. Столкновительная фаза каскада развивается в течение времени порядка 10 с, при этом в матрице образуется большое количество дефектов типа вакансий и междоузельных атомов. Большая часть близко расположенных атомов и вакансий ( пар Френкеля) за время 10 - 12 с рекомбинирует. Однако оставшаяся часть дефектов в процессе облучения потоком, состоящим из большого числа ионов, накапливается, объединяется в плоские скопления, образует дислокационные петли и в конечном итоге сетки дислокаций. [10]
Для низких и средних энергий бомбардируемых ионов преобладают Е, а с увеличением энергии иона возрастает вклад Ее. При соударении внедряемого иона с атомами матрицы он может передать им энергию, существенно превышающую пороговую энергию смещения атома с места его расположения в кристаллической решетке облучаемого материала. Первично выбитый атом, обладая достаточно большой энергией, может инициировать развитие целого каскада столкновений, сопровождающихся смещением большого числа атомов матрицы. Расчеты показывают [ 811, что большая часть атомных смещений в каскаде образуется именно путем низкоэнергетических замещающих столкновений. Столкновительная фаза каскада развивается в течение времени порядка 10 - 13 с, при этом в матрице образуется большое количество дефектов типа вакансий и междоузельных атомов. Большая часть близко расположенных атомов и вакансий ( пар Френкеля) за время 10 - 12 с рекомбинирует. Однако оставшаяся часть дефектов в процессе облучения потоком, состоящим из большого числа ионов, накапливается, объединяется в плоские скопления, образует дислокационные петли и в конечном итоге сетки дислокаций. [11]
Такая система при низких температурах кристаллизуется, образуя гексагональную ( в двумерном случае) решетку. Кристалл устойчив и образуется самопроизвольно. Плотные ряды решетки параллельны стенкам с сильным взаимодействием. Если в процессе счета переменить местами сильно и слабо взаимодействующие грани ящика, то частицы очень быстро перестраиваются, образуя кристалл с плотнейшей упаковкой, в котором плотные ряды параллельны стенкам с сильным взаимодействием. При такой постановке численного эксперимента, если рассматривать только частицы внутри ящика, то они, очевидно, находятся в поле, довольно хорошо аппроксимирующем поле грани реального кристалла. Описанный выше кристалл оказывается устойчивым и при наличии искусственно внесенных дефектов типа вакансий и полостей. На рис. 40 представлена зависимость силы, действующей на подвижные стенки ящика, от величины деформации. При дальнейшей деформации дефектность структуры увеличивается. [12]