N-тип

Cтраница 1

Микрокамера N-типа значительно дороже классической N-камеры, однако затраты вполне окупаются благодаря ускорению разделения и повышению точности результатов. [1]

Кривая N-типа соответствует случаю б ( фиг. [2]

Туннельный диод имеет в.а.х. N-типа. [3]

Как следует из изложенного, для образования вольт-амперной характеристики N-типа необходимо, чтобы с ростом напряжения туннельный ток сначала увеличивался, а затем уменьшался. Максимум тока здесь также соответствует напряжению, при котором Е - р в металле расположен напротив Ev полупроводника. [4]

Установленная величина допустимого суточного потребления для полидекстрозы А - и N-типов составляет 0 - 70 мг / кг. Поскольку в данном случае имелись адекватные данные, то при установлении ДСП был использован более низкий фактор безопасности. [5]

Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [6]

Через окна методом диффузии внедряются атомы трехвалентного бора в эпитаксиальный слой N-типа. Следовательно, образованы на месте островков четыре коллекторные области N-типа. [7]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода.| Эквивалентная схема туннельного диода. [8]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода ( рис. 19.1), являющаяся характеристикой N-типа, состоит из участка 0 - 1 - 2, обусловленного туннельным эффектом, и участка 2 - 3 - явлением диффузии, происходящей при увеличении напряжения положительного смещения. С увеличением обратного смещения туннельный ток увеличивается с большой скоростью. [9]

Вольт-амперные, вебер-амперные и кулон - вол ьтные характеристики S - и N-типа. [10]

Для характеристики S-типа роль х играет величина, откладываемая по оси ординат, для характеристики N-типа - величина, откладываемая по оси абсцисс. [11]

А; и - напряжение, В ыр - напряжение, при котором ток I достигает максимума на участке характеристики N-типа. [12]

Колебания частоты / во вторичной цепи схемы рис. 19.1 могут возникнуть, если зависимость a - b f ( B имеет форму N-типа. [13]

В § 14.4 дан пример на исследование устойчивости состояния равновесия в релаксационной автоколебательной системе с НС, имеющим в.а.х. S-типа, в § 14.5 - в.а. х N-типа. [14]

Аналогично в полупроводниковом приборе с положительной обратной связью по напряжению изменение напряжения - запаздывает по сравнению с током. Поэтому прибор N-типа имеет реактивность емкостного характера. [15]

Страницы: 1 2