Cтраница 2
При i 4 рассчитываются параметры АК установки с ИФП при случайных дефектах зеркал и круглой выходной диафрагме. [16]
![]() |
График зависимости разрешающей способности пространственного фильтра для различных длин волн при различном относительном отверстии объектива. [17] |
В целом такие показатели макета, как возможность осуществлять тщательную проверку случайных дефектов размером 2 5 - 5 мкм, в течение короткого времени дают надежду в ближайшее время получить оборудование, позволяющее автоматически производить быструю и качественную проверку фотошаблонов. [18]
Полезно рассмотреть также случай, когда зеркала ИФП имеют одновременно параболический и случайные дефекты изготовления. [19]
При изгибе таких волокон повышенные напряжения в периферийных областях, концентрируясь у случайных дефектов, вызывают распространение исходного дефекта на все поперечное сечение волокна. [20]
При тугой намотке витки очень плотно прилегают друг к другу, многократно повторяя случайные дефекты. Если на краях при обрезке возникают заусеницы, они могут служить началом обрыва полотна пленки. Поэтому силу натяжения полотна пленки при намотке, зависящую от диаметра рулона, целесообразно автоматиче-чески регулировать, а режущий инструмент применять в нагретом состоянии. [21]
![]() |
Принципиальная схема интерферометриче-ской установки с фотоэлектрической регистрацией. [22] |
Рассмотренные выше формулы, рисунки и численный пример позволяют сделать вывод, что малые случайные дефекты поверхности зеркал реального ИФП приводят к значительному изменению формы его АК, уменьшению пропускания интерферометра, понижению его контрастности и к существенному увеличению полуширины АК. [23]
Установлено, что для полупроводниковых БИС наиболее вероятными причинами брака ( отказов) являются случайные дефекты трех типов: начальный пробой ( прокол) слоев SiO2, утечки токов р-л-переходов, дефекты фотолитографии. Разработанная теория прогнозирования выхода годных ИМС не зависит от конкретного типа дефекта при случайном характере его проявления. [24]
![]() |
Влияние радиуса вершины надреза на ударную вязкость по Изоду ( по Адамсу и Джексону. [25] |
Наличие надреза на образце способствует снижению разброса результатов испытания, так как уменьшает влияние случайных дефектов на условия разрушения. [26]
При уменьшении размеров элементов топологии существенно снижается воспроизводимость технологических процессов, повышается вероятность появления случайных дефектов. [27]
Довольно большой разброс в этих данных частично отражает чувствительность свойств ПММА при разрыве к наличию случайных дефектов, особенно у материала с более низким содержанием воды. [28]
![]() |
Схематический разрез газонаполненного кабеля на напряжение 35 кв, сечением 3X120 мм3. [29] |
Контрольные испытания проводятся на барабанах и отдельных отрезках кабеля для текущей проверки качества и выявления случайных дефектов производства. На каждой строительной длине кабеля измеряется сопротивление токо-проводящих жил и сопротивление изоляции и проводится испытание повышенным напряжением. Кабели с вязкой пропиткой и маслонапол-ненные испытываются переменным напряжением. [30]