Cтраница 1
Статические дефекты образуются при определенных способах синтеза. Отжиг при более высокой температуре с последующим охлаждением может резко уменьшить их концентрацию, но температура отжига должна быть определена экспериментально. [1]
Когда статические дефекты периодической решетки расположены далеко друг от друга, рассеяние на каждом из них происходит независимо. При постепенном увеличении концентрации дефектов их потенциалы должны начать перекрываться. Тогда в пространстве уже нельзя выделить области, свободные от рассеивающих полей, и четко указать, где какой статический дефект ответственен за рассеяние. [2]
Вещества, содержащие статические дефекты ( их иногда называют дефектами III рода) неравновесны, так как образование подобных дефектов приводит к росту энергии Гиббса, но кинетически могут быть устойчивы. [3]
Существуют различные типы статических дефектов. [4]
Однако в реальных кристаллах статические дефекты и решеточные колебания вызывают отклонения от периодичности. [5]
Обычно существует целый ряд статических дефектов. Вакансии, междуузельные атомы и примеси замещения составляют группу точечных дефектов. Дислокации являются линейными дефектами. Существуют и двумерные нерегулярности, такие как дефекты упаковки и границы двойников и кристаллитов. [6]
В эффекте слабой локализации упругие столкновения со статическими дефектами и столкновения с фононами играли разные роли: первые обеспечивали диффузию, последние приводили к сбою фазы. [7]
Как показал Клемепс [69], при отсутствии рассеяния статическими дефектами и при У - scH решение уравнения ( 14.8 а) может быть найдено с хорошей точностью, если считать пробную функцию полиномом относительно г. Однако по отношению к уравнению (14.86) этот вывод неправилен, что подвергает сомнению результаты, полученные с пробными функциями в виде полиномов. Поэтому полученная величина L, 2 является, по-видимому, совершенно точной. [8]
Остаточное сопротивление нормальных металлов возникает из-за рассеяния электронов проводимости статическими дефектами. Среди этих статических дефектов можно назвать примеси, дислокации, пластическую деформацию и др. Влияние статических дефектов на остаточное сопротивление хорошо изучено, причем значение остаточного сопротивления очень чувствительно к дефектам. Например, в повседневной практике нередко чистоту и совершенство металлического кристалла характеризуют отношением его сопротивлений при 273 и 4 2 К. Это отношение для достаточно чистых и совершенных кристаллов может достигать значения 103 и больше. [9]
Потери за цикл ( а и скорость звука ( б как функция модуля упругости при сдвиге для сшитого полидиметилси-локсана. Углы рассеяния 52 ( / и 123 ( 2. Все данные относятся к комнатной температуре. [10] |
При обсуждении полученных результатов следует исключить всякие объяснения, основанные; на наличии статических дефектов материала или возникновении допол - ( нительных релаксационных явлений, которые обусловлены существованием поперечных связей. [11]
У нескольких кристаллов класса ( а) было доказано наличие теплового-сопротивления, связанного со статическими дефектами. Однако температурная зависимость этого добавочного сопротивления была определена не столь хорошо, чтобы можно было делать какие-либо заключения об упомянутых дефектах. В случае алмаза это сопротивление оказалось независящим от температуры [43, 46], поэтому Клеменс [168] предположил, что оно определяется рассеянием на областях беспорядка с диаметром - - 50 А. [12]
У нескольких кристаллов класса ( а) было доказано наличие теплового сопротивления, связанного со статическими дефектами. Однако температурная зависимость этого добавочного сопротивления была определена не столь хороню, чтобы можно было делать какие-либо заключения об упомянутых дефектах. [13]
К конфигурационной части энтропии следует добавить вклад, обусловленный изменением колебательной части энтропии за счет появления статических дефектов. [14]
Одной из форм дефектов решетки являются рассмотренные выше тепловые колебания атомов, которые могут взаимодействовать со статическими дефектами решетки и в ряде случаев стимулировать их появление. [15]