Двухмерной дефект - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Каждый, кто часто пользуется туалетной бумагой, должен посадить хотя бы одно дерево. Законы Мерфи (еще...)

Двухмерной дефект

Cтраница 1


Двухмерные дефекты также могут быть следствием наличия примесей в расплаве.  [1]

Двухмерные дефекты типа двойников ( см. Двойнико-вание), трещин или мартенситных включений также могут проявлять себя как дииамич. Наряду с дислокациями они играют определяющую роль в пластичности и прочности кристаллов.  [2]

3 Схема деформации кристалла при скольжении ( а и двойниковании ( б. ПС - плоскость скольжения. ПД - плоскость двойникования. [3]

Имеются также двухмерные дефекты решетки: границы зерен, дефекты упаковки, границы двойников. Двойникование ( рис. 2.52, б) весьма приближенно можно схематично представить как простое скольжение одной плоскости атомов по другой, причем смещение каждой плоскости пропорционально ее расстоянию от плоскости двойникования. Так как несколько соседних плоскостей атомов смещаются одна относительно другой на расстояния, равные целому числу межатомных расстояний в решетке, то область, в которой происходит движение, не сохраняет своей симметрии, обусловленной собственными операциями симметрии. Следовательно, кристаллические двойники - это такие кристаллы, две части которых могут быть переведены одна в другую с помощью элементов симметрии, не присущих данной кристаллической структуре.  [4]

5 Схема деформаций кристалла при скольжении ( а ] и двойииковаики ( б. ПС-плоскость скольжения. ПД - - плоскость двойнккования. [5]

Имеются также двухмерные дефекты решетки: границы зерен, дефекты упаковки, границы двойников. Двойникованне ( рис. 2.31 6 ] весьма приближенно можно схематично представить как простое скольжение одной плоскости атомов по другой, причем смещение каждой плоскости пропорционально ее расстоянию от плоскости дврйниковання. Так как несколько соседних плоскостей атомов смещаются одна относительно другой на расстояния, равные целому числу межатомных расстояний в решетке, то область, в которой происходит движение, не сохраняет своей симметрии, обусловленной собственными операциями симметрии. Следовательно, кристаллические двойники - это такие кристаллы, две части которых могут быть переведены одна в другую с помощью элементов симметрии, не присущих данной кристаллической структуре.  [6]

Особый случай двухмерных дефектов в кристалле представляют собой поверхности, естественно возникающие при растяжении образцов материала. У атомов, ионов и молекул, находящихся на поверхности, отсутствуют внешние соседи, и они менее прочно связаны, чем частицы внутри кристалла. Кроме того, поверхностные участки материала на практике подвергаются разнообразным химическим и механическим воздействиям.  [7]

8 Принцип строения кристалла металла. Основу составляет система положительно заряженных атомных остовов, обладающих большой инерцией по сравнению с малоннерционной подсистемой валентных ( свободных электронов, двигающихся со значительной кинетической энергией в пространстве между остовами. [8]

Ошибки упаковки представляют двухмерные дефекты, нарушающие строгую периодичность ( когерентность) структуры кристаллов. Эти ошибки повышают внутреннюю энергию реального кристалла и оказывают влияние на его физические свойства ( механические, электрические и др.), а также на процессы, происходящие в кристаллах.  [9]

Границы зерен являются двухмерными дефектами, имеющими макроскопические ( до микронов) размеры двух измерений.  [10]

11 Когерентный двойник ( правая двойниковая область возникла путем отражения в плоскости двойнико-вания. [11]

Двойники также принадлежат к двухмерным дефектам структуры.  [12]

Картина, наблюдаемая в электронный микроскоп, с несомненностью показывает образование двухмерных дефектов ( шпилек), которые собираются группами, образующими некую сверхструктуру, вкрапленную в бездефектную структуру рутила.  [13]

Высокая дефектность образовавшейся после закалки и отпуска структуры ут-мартенсита, наличие подвижных двухмерных дефектов типа границ двойников, высокие внутренние напряжения обусловливают высокий уровень демпфирования сплавов системы Мп-Си при малых и значительных амплитудах. За уровень демпфирования при малых амплитудах колебаний ответственно общее искажение атомной структуры, характерное для мартенсита, а при значительных амплитудах - обратимое перемещение подвижных дефектов - двойниковых границ в возникших мартенситных кристаллах и между этим мартенситом и исходной матричной фазой.  [14]

Границы зерен и двойников, дефекты упаковки, межфазные границы, стенки доменов, а также поверхность кристалла представляют собой двухмерные дефекты.  [15]



Страницы:      1    2