Собственный дефект - решетка
Cтраница 1
Собственные дефекты решетки возникают во время кристаллизационного процесса, особенно в его начальной стадии. Поэтому внутренняя часть эмульсионных зерен должна содержать большое число нарушений, в которых могут удерживаться молекулы желатины и возникать примесные центры. Такие внутренние нарушения, изолированные от поверхности микрокристаллов, обусловливают глубинную светочувствительность, которая вследствие образования и эволюции центров изменяется в процессе второго созревания. Это заключается в том, что известная доля внутренних центров скрытого изображения образуется за счет фотоэлектронов из поверхностного слоя и, наоборот, некоторая часть поверхностного скрытого изображения создается фотоэлектронами, освобожденными изнутри. [1]
 |
Влияние ускорителей и тормозителей созревания на средний размер ( х эмульсионных микрокристаллов. [2] |
Наличие поверхностной неоднородности кристаллов ( вследствие выхода собственных дефектов решетки с повышенной реакционной способностью) благоприятствует адсорбции и топохимическим превращениям. Этим объясняется влияние первого созревания и веществ, реагирующих с бромистым серебром, на рост светочувствительности ] во втором созревании. [3]
Уто можно объяснить взаимодействием кремния лиоо с собственными дефектами решетки, либо с неконтролируемыми примесями, в частности с кислородом, находящимся в кристалле в значительных количествах - до 4 - Ю18 см3, как установлено масс-спектрометрическим анализом наших образцов. На рис. 2 кривая 2 представляет разницу ( [81] 0бЩ - 2Na) - концентрацию неидентифицированных центров. [4]
Среди возможных механизмов компенсации имеются такие: 1) создание собственных дефектов решетки CdPa донорного типа; 2) упорядочение решетки, ведущее к залечиванию дефектов акцепторного типа; 3) связывание остаточных газов ( например, кислорода) в объеме, где проводится отжиг. Продуктом такого процесса должны быть нейтральные в электрическом отношении образования. [5]
Следует подчеркнуть, что избыточные компоненты в нестехио-метрических соединениях неотличимы от собственных дефектов решетки, захвативших электрон при тепловом возбуждении кристалла. [6]
Следует подчеркнуть, что избыточные компоненты в разбираемых случаях неотличимы от собственных дефектов решетки, захвативших электрон при тепловом возбуждении кристалла. [7]
Следует подчеркнуть, что избыточные компоненты в разбираемых случаях неотличимы от собственных дефектов решетки, захвативших электрон, при тепловом возбуждении кристалла. Поэтому только формально можно говорить о твердом растворе Zn в ZnO, Na в NaCl или Ti в TiO. В действительности речь идет о свойствах решетки ZnO, NaCl, TiO, в которой избыточный металл неотличим от катионного компонента и находится в тепловом равновесии. [8]
В работах [1 - 3] показано, что в кристаллах, где энергия образования собственного дефекта решетки W не слишком велика, уже при температурах, ненамного превышающих комнатную, имеет место равновесная собственно дефектная проводимость - проводимость, обусловленная ионизацией термических собственных дефектов решетки. [9]
Специфическим для кристаллов с ионным характером связи является обстоятельство, что энергия образования собственного дефекта решетки ненамного превышает или даже меньше энергий, характерных для электронной подсистемы - ширины запрещенной зоны, энергии локализации электрона на дефекте. В этом случае, как показано авторами [1 - 6], существенную роль играет статистическое взаимодействие между электронами и собственными дефектами решетки, приводящее к некоторым специфическим для таких кристаллов явлениям. [10]
Такие значения D характерны для диффузии атомов в жидкой фазе и могут быть поняты в рамках междоузельного механизма диффузии, протекающей без участия собственных дефектов решетки. [11]
Таким образом, в кристаллах со сравнительно малым значением разности W - ev и небольшой энергией активации движения вакансии ( междоузельного атома) вероятность теплового образования собственного дефекта решетки с одновременным захватом носителя тока намного превышает обычную вероятность теплового рождения дефекта ( без захвата носителя) и может быть значительной при не слишком высокой температуре. [12]
С увеличением доли ионной связи в полупроводниковых соединениях увеличивается ширина запрещенной зоны ( и вместе с тем делается возможным появление в ней более глубоких локальных электронных уровней), а также уменьшается энергия образования собственных дефектов решетки. При этом равновесная концентрация собственных дефектов решетки оказывается существенно зависящей от положения уровня Ферми для электронов. Это приводит к особенностям высокотемпературной равновесной собственно дефектной проводимости, к явлению равновесной самокомпенсации проводимости полупроводников. [13]
В работах [1 - 3] показано, что в кристаллах, где энергия образования собственного дефекта решетки W не слишком велика, уже при температурах, ненамного превышающих комнатную, имеет место равновесная собственно дефектная проводимость - проводимость, обусловленная ионизацией термических собственных дефектов решетки. [14]
Если наряду со сравнительно малым значением W величина ек - энергия связи электрона на акцепторной компоненте собственного дефекта - достаточно велика, в кристаллах происходит существенная равновесная самокомпенсация проводимости [4]: тепловая ионизация доноров приводит к образованию не свободных электронов, а собственных дефектов решетки, захватывающих электроны. При этом энергия, затраченная на образование дефекта, в значительной степени компенсируется энергией, выделившейся при захвате электрона проводимости на уровень этого дефекта, а соответствующее увеличение энтропии решетки обеспечивает понижение свободной энергии системы при образовании дефекта и локализации на нем электрона. Температурная зависимость концентрации носителей тока и собственных дефектов в случае равновесной самокомпенсированной проводимости имеет довольно сложный характер. [15]
Страницы: 1 2