Рассмотренный дефект

Cтраница 1

Коллектор на пластмассовом корпусе.| Коллектор на стальной втулке. [1]

Рассмотренные дефекты, как правило, происходят на стороне коллектора, свободной от обмотки, так как эта сторона загрязняется пылью, маслом. [2]

Рассмотренные дефекты являются источниками местной концентрации напряжений и приводят к различным видам разрушения, некоторые из которых будут рассмотрены в следующих двух параграфах. [3]

Рассмотренные дефекты монтажа и демонтажа электротехнических устройств в основном обусловлены невыполнением требований действующих нормативных документов по сооружению, приемке в эксплуатацию и последующему техническому обслуживанию этих устройств. Большинство нарушений правил и норм объясняется нерадивым отношением работников к порученному делу. [4]

Появление брака при изготовлении транзисторных структур вследствие точечных загрязнений. [5]

Все рассмотренные дефекты, возникающие из-за попадания на поверхность кремния нерастворимых частиц или из-за других точечных загрязнений, отличаются тем свойством, что вероятность их возникновения пропорциональна площади структуры и что поэтому их наличие ограничивает достижимую величину площади структуры. [6]

Влияние рассмотренных дефектов на электронный спектр не исследовано. [7]

Составляющие энергии образования дефектов Шоттки в галогенидах щелочных металлов и AgCl ( в эВ. [8]

Какие из рассмотренных дефектов являются доминирующими, зависит от энергий их образования. На основании формул (5.11) - (5.13) следует ожидать, что в плотноупакованных решетках ионных кристаллов образование дефектов Шоттки должно быть энергетически более выгодным по сравнению с образованием дефектов Френкеля и антифренкелевских, поскольку в случае дефектов Шоттки значительная часть энергии, затрачиваемой на образование вакансий, компенсируется отрицательным членом ( - WL) при достраивании решетки на поверхности кристалла. Это хорошо иллюстрирует табл. 5.1, в которой для галогенидов щелочных металлов и хлорида серебра приведены вычисленные значения энергий образования вакансий, необходимых для удаления иона из узла в вакуум, энергии решетки Wt, равной работе по разделению кристалла на изолированные ионы, и результирующие значения энергии дефектов Шоттки Ws, отнесенные к паре ионов. [9]

Усталостное разрдушение силового цилиндра из-за неблагоприятного. [10]

Как видно, рассмотренные дефекты независимо от их происхождения вызывают ухудшение технического состояния элементов конструкции и могут привести к постепенному ( износовому) или внезапному их отказу в эксплуатации. Это существенно снижает срок службы и надежность машин. [11]

Общей чертой всех рассмотренных дефектов, содержащихся в исходном полупроводниковом материале, является то, что при прочих равных условиях вероятность их нахождения в полупроводниковой структуре пропорциональна площади структуры, поэтому снижение общего уровня подобных дефектов в монокристаллах полупроводника способствует увеличению площади транзисторных структур. [12]

Очевидно, что все рассмотренные дефекты могут вредно сказываться на производстве как маломощных, так и мощных приборов. Однако если умеренная плотность дефектов в случае маломощных приборов будет просто снижать их процент выхода, то при производстве мощных транзисторов наличие в пленке даже незначительного количества дефектов может оказаться недопустимым. [13]

Наиболее эффективным способом устранения рассмотренного дефекта является увеличение радиуса скругления кромки пуансона. При отбортовке сферическим пуансоном такой дефект исключается. Объясняется это и тем, что в данном случае действие тангенциальных растягивающих напряжений в очаге деформации способствует более плотному прилеганию заготовки к пуансону. [14]

При появлении любого из рассмотренных дефектов в регуляторе дальнейшая эксплуатация трактора должна быть немедленно прекращена, а двигатель остановлен до устранения дефекта. [15]

Страницы: 1 2