Электрический дефект
Cтраница 2
Далее во второй главе сделан анализ видов вибраций, возникающих от действия электрических дефектов. Показано, что износ подшипников вызывает как механические, так и электрические причины возникновения вибрационных динамических сил. [16]
В условиям серийного производства в электронной промышленности к ТК предъявляются следующие требования: высокая временная стабилыюсть аппаратуры ( достигается периодической калибровкой с помощью встроенных моделей АЧТ); геометрическая привязка точек поверхности и результатов измерений ( обеспечивается в автоматизированных системах); исключение влияния коэффициента излучения; высокое быстродействие, которое может обеспечить 100 % - ный НРК; выбор оптимального режима питания, который может совпадать с рабочим режимом или представлять собой определенную комбинацию тестовых воздействий, каждое из которых способствует преимущественному выявлению отдельных дефектов; выбор контрольных точек, для которых температурный сигнал наиболее коррелирован с электрическими дефектами; широкое внедрение автоматизированных систем, которые сейчас имеют высокую стоимость и выпускаются в ограниченном количестве. [17]
 |
Гидравли-ческдя схема стенда для испытания рукавов высокого давления. [18] |
Дефекты электрических машин условно разделяют на электрические и механические. К основным электрическим дефектам относятся: обрыв проводов, уменьшение сопротивления изоляции и, как следствие, короткое замыкание, износ щеток, обгорание контактов и др. К механическим дефектам относятся: износ подшипников, износ посадочных мест на валах, в корпусах, разработка шпоночных и шли-цевых пазов, износ резьбы. [19]
К ремонтируемым изделиям электрооборудования1 относятся: генераторы, некоторые типы регуляторов напряжения, стартеры, аппараты зажигания, отдельные контрольно-измерительные приборы и вспомогательное оборудование. Ниже приведены их характерные механические и электрические дефекты. [20]
Причиной неисправности в этом случае часто является тугое вращение якоря вследствие перекоса при сборке, загрязнения или износа подшипников, недостатка смазки, погнутого вала, задевания при вращении якоря за полюс из-за ослабления крепления последнего к корпусу или по другим причинам. Возможны также электрические дефекты, в частности межвитковое короткое замыкание обмотки якоря. При наличии электрических дефектов, как правило, стартер не удовлетворяет требованиям и при испытании в режиме полного торможения. [21]
Такие дефекты в случаегомеополяр-ной решетки не изменяют ее химического состава, а в случае гетерополярной решетки могут приводить к тому или иному нарушению стехиометри-ческого соотношения. Дефекты третьего типа могут быть названы электрическими дефектами. Ион с избыточным отрицательным зарядом означает наличие в решетке лишнего электрона. [22]
Для выяснения этих причин необходимо проводить дополнительные опыты. Например, различные виды неуравновешенности и дефекты соединения, задевания в уплотнениях или подшипниках - и другие причины выявляются в режиме холостого хода без возбуждения. Для выявления неравномерного нагрева ротора ( из-за электрических дефектов или несимметричного охлаждения) необходимо проводить дополнительные испытания в режиме короткого замыкания. Для определения неисправностей в магнитной цепи необходимо проводить испытания в режиме холостого хода с возбуждением машины. [23]
Причиной неисправности в этом случае часто является тугое вращение якоря вследствие перекоса при сборке, загрязнения или износа подшипников, недостатка смазки, погнутого вала, задевания при вращении якоря за полюс из-за ослабления крепления последнего к корпусу или по другим причинам. Возможны также электрические дефекты, в частности межвитковое короткое замыкание обмотки якоря. При наличии электрических дефектов, как правило, стартер не удовлетворяет требованиям и при испытании в режиме полного торможения. [24]
Лоусона [85], полученными методом испытаний конденсаторов, при толщине диэлектрического слоя двуокиси кремния 0 4 мкм. Он нашел, что выход годных микросхем резко возрастает, когда толщина слоя фоторезиста KMER более 1 мкм. Тейлор получил этому подтверждение при испытаниях слоев фоторезиста при толщине от 1 9 до 2 2 мкм. Поскольку не каждый прокол в пленке окисла приводит к образованию короткого замыкания, представляет интерес установить количественную корреляцию между плотностью дефектов - проколов и количеством электрических дефектов - коротких замыканий. Это справедливо, если считать, что распределение проколов по поверхности не подчиняется определенной закономерности, а является случайным. Числовое значение константы в уравнении зависит от различных. [25]
Такие дефекты кристаллов являются внерешеточными дефектами, или макродефектами. Дефекты в кристаллических решетках называются внутрирешеточными, или микродефектами. К последним относятся дефекты механические, электрические и вызванные примесями. Механические ( физические) дефекты обусловлены отсутствием атомов в отдельных узлах или, наоборот, появлением лишних в пространстве между узлами. Электрические дефекты вызываются аномальными зарядами части составляющих решетку ионов. Такие дефекты могут возникать под влиянием теплоты или облучения. Нарушения, вызываемые примесями, характеризуются замещением отдельных узлов атомами или ионами посторонних веществ или внедрением этих атомов между узлами решетки. [26]
Распространение такого рассмотрения на комплексы дефектов в принципе не вызывает особых трудностей, но связано с определенными математическими усложнениями. Существуют, однако, вопросы, связанные с механизмом рассматриваемых процессов и не поддающиеся обработке методами статистической термодинамики. Картину роста агрегатов из обычных дефектов нетрудно себе представить на основе известных представлений о диффузионных процессах. Однако при этом трудно понять, каким образом совокупность изолированных комплексов дефектов может агрегироваться путем диффузии отдельных комплексов. Действительно, с физической точки зрения маловероятно, чтобы комплексы перемещались сквозь кристаллическую решетку как единое целое, за исключением, пожалуй, комплексов, состоящих из электрических дефектов, а именно захваченных электронов и положительных дырок. Даже в случае простейших комплексов дефектов типа F-центров был установлен ступенчатый характер роста агрегатов из разных вакансий и электронов. Диффузия целого комплекса, состоящего из двух вакансий и атома в междоузлии, через решетку такого соединения, как Fe O, совершенно невозможна; перенос такого комплекса может осуществиться только путем его диссоциации на отдельные дефекты, диффузии последних и постепенным присоединением их к растущему кластеру с образованием соответствующей конфигурации непосредственно вблизи агрегата. Такая система динамична; здесь всегда существует распределение кластеров, кластеров с отдельными дефектами, комплексов дефектов и изолированных простых дефектов обоих типов. [27]
Страницы: 1 2