Линейный дефект

Cтраница 4

Образование линейных дефектов в эпитаксиальных слоях обусловлено дислокациями, прорастающими в них из подложки и возникающими в результате напряжений. Однако причин возникновения напряжений в эпитаксиальных слоях значительно больше, чем в объемных монокристаллах. [46]

Определение линейных дефектов будет наиболее чувствительным, когда они расположены поперек силовых линий магнитного поля. Если ориентация вероятного дефекта неизвестна, то следует провести два испытания, при которых магнитные поля ориентированы перпендикулярно. [47]

Виды точечных дефектов. вакансия ( а, замещенный атом ( 6 и внедренный атом ( с. [48]

К линейным дефектам относятся цепочки вакансий, межузельных атомов и дислокации. Дислокации являются особым видом несовершенств в кристаллической решетке. С позиции теории дислокаций рассматривается прочность, фазовые и структурные превращения. [49]

К линейным дефектам относятся цепочки вакансий, межузельных атомов и дислокации. Дислокации являются особым видом несовершенств в кристаллической решетке. С позиции теории дислокаций рассматриваются прочность, фазовые и структурные превращения. [50]

К линейным дефектам также относятся цепочки вакансий и других точечных дефектов. [51]

К нестабильным линейным дефектам кристалла относятся цепочки точечных дефектов - вакансий или междуузель-ных атомов; длительно существовать они не могут. [52]

Для выявления линейных дефектов всех названных типов были применены два дополняющих друг друга метода - метод травления и метод диффрак-ционной микрорентгенографии. [53]

Поперечные размеры линейного дефекта не превышают одного или нескольких междуатомных расстояний, а длина может достигать размера кристалла. [54]

Страницы: 1 2 3 4