Cтраница 1
Микроскопические дефекты связаны с процессами получения слитка, его обработки давлением, изготовления полуфабриката детали. [1]
Микроскопические дефекты определяются только в отливках специального назначения и в случаях, оговоренных ТУ, при механических испытаниях, а также при химическом, микроскопическом и рентгеноструктурном анализах. Для более четкого и правильного представления о природе дефектов категорию субмикроскопических дефектов целесообразно выделить в самостоятельную группу. Контроль субмикроскопических дефектов поверхностного слоя отливок в настоящее время почти не производится. [2]
![]() |
Работа транзистора в инверсном режиме. [3] |
Микроскопические дефекты прибора особенно проявляются при повышенных напряжениях, поскольку при этом имеются значительные электрические поля, вызывающие увеличение концентрации тока черев дефектные микрообъемы. [4]
Число микроскопических дефектов существенно меньше субмикроскопических, но все еще велико. На 1 см2 может быть от нескольких дефектов и более. [5]
Под микроскопическим дефектом будем понимать такое нарушение, которое по своим размерам имеет тот же порядок величины, что и отдельная кристаллическая ячейка. Таким образом, в случае микроскопического дефекта периодическая структура кристалла практически восстанавливается на расстоянии нескольких постоянных решетки. [6]
Следует отметить, что микроскопические дефекты мало снижают электрическую прочность, если основная структура материала не разрушена. Значительное снижение электрической прочности диэлектрика вызывается видимыми дефектами. [7]
![]() |
Микрофотографии фильтрационных корок пресной бентонитовой rvc - гч-н зии ( а, х 1200 и гипсового солегеля ( б. х 1200, фрагментов его корки при рал ном увеличении ( в, х 3200. г, х 8500. [8] |
Поверхность частиц конденсированного гипса имеет микроскопические дефекты ( см. рис. 18, г), но в целом она достаточно гладкая. [9]
На разрушение влияет также наличие микроскопических дефектов, неодинаковый по длине волокна характер адгезии к нему связующего. Концентрация напряжений в местах расположения пор и неплотностей облегчает возникновение трещин. [10]
![]() |
Влияние степени армирования на интенсивность массопереноса через эпоксидное связующее УП-610. [11] |
Высокая проницаемость пластмасс обусловлена как микроскопическими дефектами в полимерном связующем, образующими свободный объем, так и более крупными нарушениями сплошности, возникающими в процессе формирования структуры и определяющими пористость наполненного пластика. [12]
Металлографическим исследованием выявляют макро - и микроскопические дефекты сварного шва: непро-вары, трещины, поры, шлаковые включения, а также определяют структуру металла. [13]
При этом не компенсируется светорассеяние из-за микроскопических дефектов поверхности и материала линз, а также обусловленное дифракцией света вследствие ограниченных апертур. [14]
Старению полупроводников способствуют субмикроскопические дефекты материала, микроскопические дефекты на их поверхности, изменение температур, влажности, наличие примесей в материале. [15]