Макроскопический дефект

Cтраница 1

Макроскопический дефект образуется совокупностью микроскопических, но если на расстоянии порядка нескольких характерных размеров макродефекта индивидуальные поля отдельных микро-дефектов неразличимы, то можно говорить о собственном поле макродефекта. Характерные размеры источников внутренних напряжений могут быть самыми различными - от атомных до величин, составляющих десятые доли размера деформируемого образца, а сами источники могут существовать до деформирования либо создаваться в его процессе. [1]

Макроскопическим дефектом будем называть нарушение, охватывающее область, размеры которой значительно превышают размеры отдельной кристаллической ячейки. К этому типу дефектов относятся трещины, коллоидные частицы постороннего вещества, всякого рода макроскопические вкрапления. Грани и ребра кристалла сами по себе могут рассматриваться как такие макроскопические дефекты, которые нарушают строго периодическую структуру бесконечной идеальной решетки. [2]

Макроскопическими дефектами сварных соединений являются поры, непровары, усадочные раковины, инородные включения. [3]

Из числа макроскопических дефектов чаще всего стремятся обнаружить дислокации, которые выявляют химическим травлением при помощи подобранного травителя. Слабые нарушения кристаллической решетки могут быть изучены при помощи рентгеновских лучей по методу Ланге [ 125, с. [4]

Задачу о макроскопических дефектах Салганик подразделяет на внешнюю и внутреннюю. В первой дефект, который он называет трещиной, представляется разрезом ( поверхностью разрыва смещений) в сплошном, лишенном структуры теле. Во второй - рассматривается концевая область дефекта, где деформирование может подчиняться законам, отличным от тех, которые приняты во внешней задаче. [5]

Для конструкционных стеклопластиков макроскопические дефекты играют роль коцентраторов напряжения и снижают прочностные показатели. [6]

Зависимость истинных растягивающих. [7]

Для изучения распределения макроскопических дефектов в объеме кристалла из нескольких покрытых ртутной пленкой и слегка деформированных образцов цинка были приготовлены шлифы в осевом сечении. Типичная фотография такого шлифа, приведенная на рис. 76, в, показывает, что основная масса трещин развивается первоначально внутри кристалла. [8]

Часто бывает трудно определить физические, химические, точечные и макроскопические дефекты кристалла. IV6 мы рассмотрим технологию этого вопроса ( контроль изготовления), а здесь опишем методы, которыми мы располагаем для экспериментального изучения точечных дефектов решетки. [9]

Размер шлифа для изучения макроскопических дефектов определяется толщиной сварного соединения, но в любом случае предпочтительнее исследовать все сечение сварного шва. [10]

При помощи ультразвука можно определять макроскопические дефекты, а также структурные изменения в различных материалах и сплавах толщиной от нескольких миллиметров до нескольких метров. [11]

Реальная поверхность полупроводникового кристалла имеет микроскопические и макроскопические дефекты структуры. Наличие этих дефектов приводит к образованию локальных энергетических уровней на поверхности. [12]

Разрушения образцов в 30 % НО. [13]

Коррозионное растрескивание возможно даже при отсутствии макроскопических дефектов или концентраторов напряжений, например в средах, содержащих влажный сероводород. Разрушение при коррозионном растрескивании, как правило, хрупкое. [14]

Коррозионное растрескивание возможно даже при отсутствии макроскопических дефектов или концентраторов напряжений, например, в средах, содержащих влажный сероводород. Разрушение при коррозионном растрескивании, как правило, хрупкое. В сварных соединениях в большинстве случаев коррозионное растрескивание инициируется в местах перехода от металла шва к основному металлу. [15]

Страницы: 1 2 3 4