Равновесный дефект - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Некоторые люди полагают, что они мыслят, в то время как они просто переупорядочивают свои предрассудки. (С. Джонсон). Законы Мерфи (еще...)

Равновесный дефект

Cтраница 1


1 Схема зависимости потенциальной энергии от величины сдвига атомных плоскостей.| Схема дефектного размещения атомов, облегчающего сдвиг плоскостей. [1]

Равновесные дефекты называют также тепловыми, а возникшие из-за предыстории тела - биографическими.  [2]

Иногда равновесные дефекты называются тепловыми, а возникшие в результате предыстории кристалла - биографическими. Особое значение для понимания механических свойств кристаллов, их реакционной способности и процессов кристаллизации имеет группа дефектов, объединяемая общим названием - дислокации.  [3]

Иногда равновесные дефекты называются тепловыми, а возникшие в результате предыстории кристалла - биографическими. Особое значение для понимания механических свойств кристаллов, их реакционной способности и процессов кристаллизации имеет группа дефектов, объединяемая общим названием - дислокации.  [4]

Ярким примером равновесных дефектов являются вакансии. Очевидно, что неполное заполнение узлов приводит к повышению энергии системы. При температуре, отличной от абсолютного нуля, вакансии все же образуются, так как их появление приводит к повышению энтропии. Действительно, вакансии к: огут быть различными способами распределены по объему кристаллической решетки.  [5]

6 Зависимость свободной энергии кристалла от концентрации вакансий. [6]

Атомы в междоузлиях являются другим видом термически равновесных дефектов, поскольку их появление в решетке кристалла также повышает конфигурационную энтропию кристалла.  [7]

Почему дефекты по Шоттки Френкелю относятся к термодинамически равновесным дефектам, в чем причина их образования и какие факторы оказывают влияние на их концентрацию в кристаллической решетке.  [8]

К сказанному можно добавить, что Борелиус [8] наблюдал равновесные дефекты в твердых металлах, не являющиеся ни вакансиями, ни дислоцированными атомами. Они проявляются в коллективном движении некоторого числа атомов. Их вклад в энергию кристаллической решетку вблизи точки плавления значительно больше, чем дают вакансии. Это наводит на мысль, что в данном случае плавление связано в основном с возрастанием числа именно таких дефектов.  [9]

Перечисленные выше факторы интенсифицируют процесс спекания главным образом увеличением концентрации равновесных дефектов.  [10]

Вакансии и межузельные атомы не нарушают термодинамического состояния кристалла, поэтому их называют термодинамически равновесными дефектами.  [11]

Прежде чем рассмотреть результаты измерения электросопротивления, полезно отметить, что равновесные эксперименты, выполненные посредством сравнения измерений параметров решетки и дилатометрических изменений ( 4 - 6 ], не оставляют сомнения в том, что большинство равновесных дефектов представляют собой дефекты вакансионного типа. Концентрация дефектов внедрения незначительна.  [12]

Эти идеи Борна были развиты в работах Орлова и Плишкина33 35, где исследовалась возможность существования подобных равновесных дефектов или трещин с минимумом потенциальной энергии. Следуя Борну, авторы считают, что тепловые флуктуации атомов могут привести к образованию в растягиваемой атомной цепочке такого равновесного дефекта, который будет служить местом преимущественного разрыва с образованием свободной поверхности. Для трехмерной решетки ( в рамках модели авторов) образование равновесной трещины невозможно. Эти вопросы, однако, далеко еще не исследованы до конца.  [13]

14 Дефект по Шоттки в ионном кристалле NaCl.| Дефект по Шоттки ( катионная вакансия в решетке AgCl при включении катиона с большим зарядом ( Cd2. [14]

Однако при десублимации происходит уменьшение второй движущей силы ( энтропийного фактора) вследствие перехода вещества из состояния хаотичного газа в высокоупорядоченное твердое состояние. Вклад энтальпийного фактора обычно выше из-за больших значений энергии кристаллических решеток, а энтропийный фактор всегда обусловливает наличие равновесных дефектов в кристалле при температурах выше абсолютного нуля.  [15]



Страницы:      1    2