Пластическая деформация - кристаллическое тело
Cтраница 1
Пластическая деформация кристаллических тел осуществляется за счет движения дислокаций в определенных кристаллографических плоскостях и направлениях. При разгрузке и перемене знака нагружения происходит возвратное движение дислокаций, они начинают двигаться к источнику и аннигилировать, вызывая тем самым обратное течение при разгружении и появление петли гистерезиса. Расхождение прямолинейных зависимостей знакопеременного и однократного нагружения, представленных на диаграммах Р1 / 2 - б 2 ( см. рис. 10, кривые 1 и 4), обусловлено снижением-напряжения течения при перемене знака деформации. Изменение эффективных пределов упругости и углов наклона диаграмм S - б / 2 связано с эффектом Баушин-гера, величина которого зависит от амплитуды деформации. [1]
Известно, что пластическая деформация кристаллических тел является следствием движения дислокаций в определенных плоскостях. Кривая упрочнения в какой-то мере отражает интегральный характер зарождения и движения дислокаций, их взаимодействие с решеткой, между собой и другими структурными несовершенствами кристаллов. Одной из важных характеристик кривой упрочнения кристаллов является напряжение начала пластической деформации. Фактически оно соответствует стартовому напряжению дислокаций ( TS), зарождение и смещение которых представляет собой элементарный акт пластической деформации. [2]
Значительное развитие процесса пластической деформации кристаллических тел возможно только путем скольжения. [3]
Один из важных критериев устойчивости сопротивления пластической деформации кристаллических тел - энергия их дефектов упаковки ( ДУ): чем меньше энергия ДУ, тем более вероятна устойчивость сопротивления пластической деформации. Не случайно малые энергии ДУ присущи элементам группы меди, серебра, золота и некоторым сплавам на их основе. [4]
Кроме простого скольжения ( трансляции), при пластической деформации кристаллических тел может происходить так называемое двойникование, когда группы частиц не только скользят по плоскостям, но и поворачиваются на некоторый угол ( фиг. [5]
Изменение модулей упругости металлов в зависимости от уровня остаточной деформации, или, может быть, точнее, изменение касательного модуля при малых деформациях, является очень важным для современных исследований пластической деформации кристаллических тел, когда атомистические гипотезы ввели в употребление ошибочное предположение о том, что модуль упругости при сдвиге ц, для упругого поля вокруг дислокации постоянен, несмотря на увеличивающуюся остаточную деформацию. [7]
Пластическая деформация кристаллических тел проявляется в результате смещения атомных слоев по плоскостям скольжения под действием внешних сил. Чем больше плоскостей сдвига образуется в объеме материала, тем более он пластичен, тем при меньших напряжениях деформируется заготовка. [8]
II, пластическая деформация кристаллических тел может осуществляться не только скольжением, но и двойникованием. [9]
Эксперименты с ударными волнами предоставляют уникальную возможность изучения поведения материалов в условиях предельно высоких скоростей деформирования. Основой физического механизма пластической деформации кристаллических тел являются представления о движении микроскопических дислокаций. [10]
Дислокации легко размножаются и при больших деформациях их плотность может достигать - 1012 см-2. Дислокации обладают высокой подвижностью, под действием внешних приложенных напряжений способны к направленным перемещениям и вследствие этого вносят основной вклад в пластическую деформацию кристаллических тел. [11]
 |
Атмосфера Коттрелла. [12] |
Если в каждой атомной плоскости, пересекающей линию дислокации в положении с максимальной связью, находится атом примеси ( рис. 13.23, а), то говорят, что образовалась конденсированная атмосфера Коттрелла. Такая цепочка атома примеси блокирует скольжение дислокации ( так как атмосфера может перемещаться только путем диффузии), поэтому образование атмосфер Коттрелла оказывает существенное влияние на пластическую деформацию кристаллических тел, содержащих примеси. [13]
Страницы: 1