Использование - германий
Cтраница 2
 |
Каскад усилителя на транзисторе. [16] |
Транзистор может работать в ключевом режиме. При / - О транзистор практически закрыт, при / / у п транзистор открыт. Этот режим используется в транзисторах, работающих в коммутационных аппаратах. LH), то при резком снижении тока при закрытии транзистора появляется довольно высокое напряжение - Ldi / dt, которое может пробить транзистор. Транзисторы типа р-п - р выполняются с использованием германия. В настоящее время преимущественно применяются транзисторы типа п-р - п на базе кремния, которые более устойчивы к внешним воздействиям. Для транзисторов типа п-р - п характерно увеличение коллекторного тока при увеличении положительного потенциала базы относительно эмиттера. [17]
 |
Плоскостной транзистор PNP со сплавленным переходом. [18] |
Формирование РЛ / - перехода происходит, когда индий сплавляется с германием JV-типа. Индий имеет валентность три и поэтому после сплавления с германием он представляет собой акцепторную примесь. При такого рода процессе рядом с индиевыми дисками создаются две Р - области, разделенные Af-областью германиевого кристалла. Меньший диск используется как эмиттер, большая площадь диска коллектора увеличивает вероятность того, что эмиттируемые дырки достигнут коллектора; тем самым увеличивается коэффициент усиления по току транзистора. Подобный же процесс может быть применен для получения транзистора типа NPN, с использованием германия Р - типа и дисков из донорной примеси. [19]
В этом случае ток коллектора может увеличиваться самопроизвольно до тех пор, пока либо нелинейность характеристик ограничит ток от его дальнейшего нарастания, либо кристаллический триод повредится. Это явление рассматривается детально в 10 - й главе. Во избежание указанного явления конструирование схем кристаллических триодов этого типа нужно осуществлять очень тщательно. В этом отношении значительную роль играет процесс изготовления точечных триодов, в котором внутреннее сопротивление базы можно уменьшить различными путями. Под стабильным при коротком замыкании точечноконтактным кристаллическим триодом подразумевается триод, который имеет такое низкое внутреннее сопротивление базы ( при использовании германия с низким удельным сопротивлением), что схемы на таких триодах с короткозамкнутыми эмиттерными и коллекторными цепями являются еще устойчивыми. [20]
Страницы: 1 2