Использование - гетеропереход
Cтраница 1
Использование гетеропереходов позволяет создать на границе между полупроводниковыми материалами потенциальные барьеры самой различной формы и таким образом широко изменять свойства приборов, изготовленных на их основе. Причем свойства значительной части этих гетеропереходов должны принципиально отличаться от свойств гомогенных р - - переходов. [1]
При использовании гетероперехода в качестве основы мощных выпрямительных диодов можно облегчить тепловой режим работы прибора за счет того, что излучение, которое выделяется при рекомбинации неосновных носителей заряда в обедненной области в течение обратного полупериода напряжения может быть выведено из прибора через широкозонный полупроводник без поглощения и рассеяния в окружающей среде или в специальном поглотителе. [2]
В настоящее время наибольший успех достигнут при использовании гетеропереходов в качестве переключателей, характеристические времена которых лежат в наносекунд-ном диапазоне. [3]
В книге рассмотрены методы изготовления интегральных схем, вопросы разработки приборов на эффекте Ганна, возможности использования гетеропереходов и пленочной технологии. Описаны планарная, эпитаксиальная и электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем. Дан анализ новых физических явлений, которые все шире используются в современной полупроводниковой электронике. [4]
Это вызывает дополнительные требования к толщине эмиттзрного или коллекторного слоя, через который вводится световой поток. Использование гетероперехода в фототранзисторе позволяет избавиться от этого фактора и расширить область спектральной чувствительности прибора. [5]
Важной и перспективной задачей лазерной техники является синтез и подбор полупроводниковых материалов с одинаковыми параметрами кристаллической решетки, что дает возможность создавать гетеропереходы на контактах двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Использование гетеропереходов в ин-жекционпых лазерах позволяет относительно просто получать инверсную населенность энергетических уровней в узкозонной области. Гетеропереходы могут обладать высоким коэффициентом инжекции, выпрямлением без инжекции и другими интересными и полезными свойствами, которые используют в различных полупроводниковых приборах. [6]
Полупроводниковый материал для лазеров должен иметь структуру энергетических зон, обеспечивающую прямые изяучательные переходы электронов между энергетическими уровнями. Перспективным является синтез и подбор полупроводниковых материалов с одинаковыми параметрами кристаллической решетки, что дает возможность создавать гетеропереходы на контактах двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Использование гетеропереходов в инжекционных, лазерах позволяет относительно просто получать инверсную населенность энергетических уровней в относительно узкозонной, области лазерной структуры. [7]
 |
Спектральные характеристики инфракрасного излучающего диода на основе арсенида галлия при температуре 77 К. [8] |
Пороговая плотность тока существенно зависит от температуры инжекционного лазера: для лазеров на основе арсенида галлия пороговая плотность тока порядка 102 А / см2 при Т 4 2 К и порядка 104 А / см2 при 77 К. Таким образом, для уменьшения пороговой плотности тока необходимо глубокое охлаждение инжекционного лазера. Инжекционные лазеры с использованием гетеропереходов, имеющие значительно меньшие пороговые плотности токов, могут работать при комнатной температуре в непрерывном режиме. [9]
 |
Спектральные характеристики инфракрасного излучающего диода на основе арсенида галлия при температуре 77 К. [10] |
Пороговая плотность тока существенно зависит от температуры инжекционного лазера: для лазеров на основе арсенида галлия пороговая плотность тока порядка 102 А / см2 при Г 4 2 К и порядка 104 А / см2 при 77 К. Таким образом, для уменьшения пороговой плотности тока необходимо глубокое охлаждение инжекционного лазера. Инжекционные лазеры с использованием гетеропереходов, имеющие значительно меньшие пороговые плотности токов, могут работать при комнатной температуре в непрерывном режиме. [11]
Пороговая плотность тока существенно зависит от температуры ин-жекционного лазера: для лазеров на основе арсенида галлия пороговая плотность тока порядка 102 А / см2 при температуре 4 2 К и порядка 10 А / см2 при 77 К. Таким образом, для уменьшения пороговой плотности тока необходимо глубокое охлаждение ин-жекционного лазера. Инжекционные лазеры с использованием гетеропереходов, имеющие значительно меньшие пороговые плотности токов, могут работать при комнатной температуре в непрерывном режиме. [13]
Для достижения лучших параметров прибора эта величина должна быть минимальной. Однако по этому пути нельзя идти бесконечно, так как, с одной стороны, существует предел растворимости примеси в полупроводнике и, с другой, при сильном легировании полупроводника в него одновременно с примесью вносится множество различных дефектов, которые ухудшают параметры р - - перехода. В этом направлении перспективным является использование гетероперехода. [14]
Страницы: 1