Технический диэлектрик

Cтраница 2

В некоторых технических диэлектриках наблюдается поляризация и в отсутствие внешнего ( возбуждающего) электрического поля. Их поверхностные заряды могут рассматриваться как источники электрического поля в окружающей среде. [16]

Наличие в технических диэлектриках небольшого числа свободных зарядов приводит к возникновению слабых по величине токов сквозной проводимости или токов утечки. [17]

Зависимость величины тбка через диэлектрик от времени. [18]

Наличие в технических диэлектриках небольшого числа свободных зарядов приводит к возникновению слабых по величине токов сквозной электропроводности, или токов утечки. [19]

Наличие в технических диэлектриках небольшого числа свободных зарядов приводит к возникновению слабых по величине сквозных токов. Ток утечки в техническом диэлектрике представляет собой сумму сквозного тока и тока абсорбции. [20]

Схема диссоциации полярной молекулы постороннего вещества в полярном диэлектрике. / молекула диэлектрика. 2 молекула постороннего вещества. [21]

Так как все технические диэлектрики в той или иной степени содержат полярные примеси, то из изложенного следует, что существенным фактором, влияющим на ионизацию и электропроводность, является диэлектрическая проницаемость материала. [22]

Так как все технические диэлектрики в той или иной степени содержат полярные примеси, то из изложенного следует, что на ионизацию примесей и электропроводимость материала существенно влияет диэлектрическая проницаемость. [23]

При заполнении полости техническим диэлектриком к потерям в стенках следует добавить потери в диэлектрике. [24]

Благодаря наличию в техническом диэлектрике свободных зарядов, под воздействием электрического напряжения в нем всегда возникает ток сквозной проводимости, малый по величине, проходящий через толщу диэлектрика и по его поверхности. [25]

Тепловая теория связывает пробой технических диэлектриков с частичным перегревом жидкости и вскипанием ее в местах наибольшего количества примесей, приводящим к образованию газового мостика между электродами. [26]

Зависимость пробивного напряжения от толщины при 50 гц для молибденового стекла.| Зависимость пробивного напряжения от толщины при 50 гц для изоляторного фарфора. [27]

Такой пробой характерен для технических диэлектриков, которые в подавляющем большинстве случаев содержат газовые включения. Так же как и электрический пробой однородного диэлектрика, он отличается весьма быстрым развитием. [28]

При воздействии импульсов в технических диэлектриках, таких, как изоляция электрических машин, наиболее характерными процессами являются частичные пробои одного или нескольких слоев изоляции или некоторых ее компонент. При достаточно интенсивном импульсном воздействии ( высоких напряженностях или большом числе импульсов) частичные пробои могут накопляться и привести к сквозному пробою изоляции. [29]

Практически неоднородность неизбежна во всяком техническом диэлектрике; даже в тех диэлектриках, которые не представляют собой смеси различных веществ, всегда в большей или меньшей степени имеются те или иные примеси, наполненные воздухом поры, включения гигроскопичной воды и пр. [30]

Страницы: 1 2 3 4