Аморфный диэлектрик

Cтраница 3

Лазерами на твердом теле ( твердотельными лазерами) называют оптические квантовые генераторы, в которых в качестве активного вещества используются кристаллические или аморфные диэлектрики. [31]

Структурная схема общей надежности ИМ. [32]

Физика отказов в слое окисла обусловлена развитием во времени следующих механизмов: инжекцией носителей заряда в диэлектрик и захватом электронов ловушками; ударной ионизацией в дефектных местах с повышенной напряженностью внутреннего поля; электрохимического разрушения диэлектрика под действием протекающего тока утечки и нарушения стационарного состояния в системе делокализованных электронов аморфного диэлектрика. Для большинства диэлектриков, используемых в качестве затвора в полевых приборах, реализуется смешанный механизм отказа. [33]

Удельная проводимость аморфных тел одинакова во всех направлениях и обусловливается составом материалов и наличием примесей. Органические неполярные аморфные диэлектрики, например полистирол, отличаются очень малой удельной проводимостью. [34]

Органические смолы не склонны к ионной диссоциации ( решетка органических диэлектриков состоит из нейтральных или дипольных молекул) и обладают высокими электроизоляционными свойствами. В то же время в органических смолах, относящихся к аморфным диэлектрикам, сильно развиты пластические свойства, приводящие к ползучести тензодатчика. Поэтому критерием пригодности того или иного связующего из органических материалов Следует считать характеристику ползучести тензо-датчиков, приготовленных из исследуемого связующего. [35]

Основные закономерности для удельного теплового сопротивления диэлектриков: наибольшие значения рт имеют пористые материалы с воздушными включениями; при пропитке и увлажнении таких материалов, а также при уплотнении их внешним давлением рт уменьшается. Кристаллические диэлектрики, как общее правило, имеют рт меньшие, чем аморфные диэлектрики, а неорганические - меньшие, чем органические. [36]

Ионные кристаллические решетки могут быть разбиты на так называемые элементарные ячейки, каждая из которых содержит равное количество положительных и отрицательных зарядов и в целом нейтральна. В дальнейшем в ряде случаев для определенности мы будем предполагать, что диэлектрик построен из нейтральных молекул; однако основные положения излагаемой теории применимы и к ионным кристаллическим и аморфным диэлектрикам, причем только под молекулой надо в этих случаях понимать, например, элементарную ячейку кристалла. [37]

Следует отметить, что на энергетических диаграммах запрещенная зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости, изображается всегда с четко выраженными границами. Строго говоря, запрещенная зона с четкими границами является свойством лишь кристаллических тел, а мы в большинстве случаев будем рассматривать не кристаллические, а поликристаллические или даже аморфные диэлектрики. Однако можно показать, что большинство особенностей зонной структуры твердого тела определяется ближним порядком, поэтому основные свойства зонной структуры кристаллического состояния можно перенести на поликристаллическое состояние. Отсутствие дальнего порядка в некристаллических материалах вызывает размытие краев зоны проводимости и валентной зоны, так что энергетические зоны не являются четко выраженными. Но в первом приближении можно считать, что в диэлектрических пленках ширина запрещенной зоны строго определена и соответствует некоей средней величине реальной размытой энергетической зоны. [39]

Зависимость времени форми-для кристаллов KBr, КС1 и NaCl. [40]

Фрелихом была предложена теория электрического пробоя, в которой учитывается роль электронов, находящихся на ловушках [ 4, с. Пр) то энергетический баланс нарушается, электронная температура непрерывно растет, связанные электроны начинают интенсивно переходить в зону проводимости, что и соответствует ( по Фрелиху) развитию электрического пробоя аморфного диэлектрика. [41]

Фрелихом была предложена теория электрического пробоя, в которой учитывается роль электронов, находящихся на ловушках [ 4, с. Если напряженность поля достаточно велика ( § Г § Гпр), то энергетический баланс нарушается, электронная температура непрерывно растет, связанные электроны начинают интенсивно переходить в зону проводимости, что и соответствует ( по Фрелиху) развитию электрического пробоя аморфного диэлектрика. [42]

В конечном счете с этим связано и то, что кристаллы могут иметь такие электрические и оптические свойства, которые аморфным телам ( по крайней мере в естественном состоянии) совсем не присущи. Другими словами, в некоторых естественных кристаллах сама природа обеспечивает возможность пироэлектрических, пьезоэлектрических, электрооптических и других явлений, тогда как в аморфных диэлектриках эти явления вообще не могут возникнуть или возникают лишь в результате внешних искусственных воздействий. К этому надо добавить, что указанные физические свойства, специфические для естественного состояния, выражены в кристаллах более четко и их можно использовать с большей надежностью, чем свойства, приданные аморфным веществам искусственно. Именно поэтому на практике в подавляющем числе случаев употребляют естественные кристаллы, обладающие пиро-или пьезоэффек-том, электрооптическими и другими нужными свойствами. [43]

Отдельные составляющие твердой фазы теплозащитного материала могут находиться в кристаллическом либо в аморфном состоянии. Механизм переноса тепла в этих состояниях резко отличен. В свою очередь кристаллы подразделяются на проводники и диэлектрики в зависимости от того, что является основным носителем тепловой энергии: электроны или колебания кристаллической решетки - фононы. Аморфные диэлектрики, у которых зерна кристаллов расположены хаотично, имеют меньший коэффициент теплопроводности по сравнению с кристаллическими диэлектриками, у которых структура более упорядочена. [44]

Ток проводимости в твердых диэлектриках обусловливается направленным перемещением ионов примесей и ионов самого диэлектрика. В диэлектриках с атомными и молекулярными решетками ток проводимости обусловлен только ионами различных примесей. У таких диэлектриков ( парафин, полиэтилен, политетрафторэтилен и др.) электропроводность весьма мала, и эти материалы обладают большими значениями удельного объемного и поверхностного сопротивлений: pv 10le - 1018 ом - см; fs - 1015 - 1017 ом. Такими же большими удельными сопротивлениями обладают высокополимерные аморфные диэлектрики: полистирол, полиизобутилен, полипропилен и др., у которых ток проводимости обусловлен преимущественно ионами примесей. [45]

Страницы: 1 2 3 4