Активный диэлектрик
Cтраница 2
Переходное излучение заряда, пересекающего пластину из оптически активного диэлектрика. [16]
Несмотря на изобилие литературы по различным разделам физики активных диэлектриков, в настоящее время не достаточно книг, в которых бы с единой точки зрения рассматривались физико-технические основы работы устройств на активных диэлектриках с оценкой их перспективности в различных областях электроники. [17]
 |
Дополнительный перечень структур - прототипов, перспективных для разработки по. [18] |
Приведенные примеры и данные таблиц не исчерпывают многообразия возможных вариантов технического применения активных диэлектриков. [19]
Среди совокупности твердотельных материалов важное место занимают диэлектрики и особенно - так называемые активные диэлектрики. Последние получили свое название из-за способности проявлять качественно новые свойства под влиянием внешних воздействий. [20]
 |
Кристаллическая структура рубина. а - структура А12О3, б - строение ячейки кристалла рубина ( справа приведены обозначения соответствующих. [21] |
Для улучшения согласования спектра излучения источника накачки со спектрами активного поглощения таких кристаллов применяют метод сенсибилизации активных диэлектриков. Метод сенсибилизации заключается в добавлении в кристалл основы наряду с основными активными ионами ионов другого вида, называемых сенсибилизаторами, роль которых заклю шется в поглощении энергии возбуждения и передаче ее основным ионам. Добавление сенсибилизаторов приводит к расширению эффективной полосы накачки и к повышению эффективности ОКГ. [22]
Очевидно, что во втором случае удельный объем конденсатора увеличивался за счет сохранения подложки, которая не являлась активным диэлектриком, а служила конструктивным элементом, не участвующим в создании емкости, но увеличивающим размеры конденсатора. Вместе с тем теоретически при наличии сохраненной подложки можно было бы дополнительно снизить толщину активного диэлектрика и тем самым ослабить влияние подложки на удельный объем, а может быть даже получить некоторый выигрыш в объеме по сравнению с конденсатором из лаковой пленки с удаленной подложкой. [23]
В 60 - х годах произошла подлинная революция в радиоэлектронике, вызванная внедрением полупроводников, затем использованием сверхпроводников и активных диэлектриков, что потребовало дальнейшего развития этой области химии. [24]
Несмотря на изобилие литературы по различным разделам физики активных диэлектриков, в настоящее время не достаточно книг, в которых бы с единой точки зрения рассматривались физико-технические основы работы устройств на активных диэлектриках с оценкой их перспективности в различных областях электроники. [25]
В настоящее время генерация получена более чем на 200 переходах между энергетическими уровнями различных ионов в различных матрицах. В табл. 29 - 2 приведены основные данные активных диэлектриков, используемых для квантовых усилителей и генераторов. [26]
Используемые в качестве электроизоляционных материалов диэлектрики называются пассивными диэлектриками. В настоящее время широко применяются так называемые активные диэлектрики, параметры которых можно регулировать изменяя напряженность электрического поля, температуру, механические напряжения и другие параметры воздействующих на них факторов. Например, конденсатор, диэлектрическим материалом в котором служит пье-зоэлектрик, под действием приложенного переменного напряжения изменяет свои линейные размеры и становится генератором ультразвуковых колебаний. Емкость электрического конденсатора, выполненного из нелинейного диэлектрика-сегнетоэлектрика, изменяется в зависимости от напряженности электрического поля; если такая емкость включена в колебательный LC-контур, то изменяется и его частота настройки. [27]
В настоящее время генерация получена более чем на 200 переходах между энергетическими уровнями различных ионов в различных матрицах. В табл. 25.2 приведены основные сведения об активных диэлектриках, используемых для квантовых усилителей и генераторов. [28]
Очевидно, что во втором случае удельный объем конденсатора увеличивался за счет сохранения подложки, которая не являлась активным диэлектриком, а служила конструктивным элементом, не участвующим в создании емкости, но увеличивающим размеры конденсатора. Вместе с тем теоретически при наличии сохраненной подложки можно было бы дополнительно снизить толщину активного диэлектрика и тем самым ослабить влияние подложки на удельный объем, а может быть даже получить некоторый выигрыш в объеме по сравнению с конденсатором из лаковой пленки с удаленной подложкой. [29]
В книге изложены физические свойства различных классов электротехнических материалов, применяемых в радиоэлектронике, природа этих свойств, области применения материалов и технические требования к ним, свойства важнейших видов конкретных электрорадиоматериалов. В части I книги рассмотрены проводниковые, в части II - полупроводниковые, в части III-диэлектрические материалы, в части IV активные диэлектрики, в части V - магнитные материалы. [30]
Страницы: 1 2 3