Cтраница 1
Нелинейные диэлектрики, диэлектрическая проницаемость которых значительно меняется при изменении напряженности электрического поля, могут быть использованы в качестве управляющих устройств для построения диэлектрических усилителей по принципу, сходному с принципом построения магнитных усилителей. [1]
Нелинейным диэлектрикам - сегнетоэлектрикам наряду с электронной и ионной свойственна спонтанная ( самопроизвольная) поляризация, относящаяся к числу релаксационных видов. Спонтанная поляризация возникает в определенном температурном интервале, ограниченном сегнетоэлектрическими точками Кюри, под влиянием внутренних процессов самопроизвольно. При этом структура элементарной ячейки кристалла становится несимметричной, приобретая электрический момент. [2]
Наиболее характерными нелинейными диэлектриками являются сегнетоэлектрики. [3]
Расположение зарядов в поляризованном диэлектрике ( схематически. Е - напряженность электрического поля в диэлектрике. [4] |
У нелинейных диэлектриков, к которым относятся сегнетоэлектрики, рассматриваемые в гл. [5]
Мы считаем нелинейный диэлектрик параллелепипедом со сторонами / i, 1 %, 1 %, центр которого находится в начале координат. Набор сигнальных и холостых мод обозначаем как [ k7, sf ] и [ k, s ], соответственно, и предполагаем, что они не перекрываются. [6]
Однако существуют нелинейные диэлектрики и нелинейные конденсаторы, для которых характерно существование резко выраженной зависимости диэлектрической проницаемости и соответственно емкости от значения напряженности электрического поля или же значения приложенного к конденсатору напряжения. [7]
К ним относятся нелинейные диэлектрики, диэлектрическая проницаемость которых изменяется по закону Кюри - Вейса. Обычно параэлектриками являются сег-нетоэлектрики выше точки Кюри ( см. § 4.2), а также близкие к ним вещества ( SrTiO3, КТаОз), которые три низких температурах не переходят в полярную фазу вследствие квантовых эффектов. [8]
Зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлект-риков от напряженности по. [9] |
Параэлектрики - это нелинейные диэлектрики, находящиеся в параэлектрической фазе при рабочих температурах. [10]
Диэлектрический гистерезис в нелинейных диэлектриках определяется несовпадением кривой D ( E) при возрастании напряженности поля с кривой, соответствующей уменьшению напряженности. [11]
При наличии так называемых нелинейных диэлектриков область интегрирования может быть разделена на подобласти с однородной плотностью поляризации, в каждой из которых теорема справедлива. [12]
При наличии так называемых нелинейных диэлектриков область интегрирования может быть разделена на подобласти с однородной плотностью поляризации, в каждой из которых теорема справедлива. [13]
Для определения реверсивной диэлектрической проницаемости нелинейного диэлектрика измеряют емкость Ср образца при слабом переменном поле, на которое наложено более сильное постоянное поле Приближенно реверсивную емкость находят, используя схему фиг. [14]
Управляющим устройством является конденсатор с нелинейным диэлектриком 1 С f ( U), который включен последовательно с нагрузкой, дополнительным конденсатором Сдоп и источником переменного напряжения Un - - Одновременно к обкладкам нелинейного конденсатора подводится напряжение Uex, частота которого, как и для магнитного усилителя, должна быть значительно меньше частоты источника питания цепи нагрузки. [15]