Cтраница 1
Апертура WQ преобразователей, расстояние WW между контактными площадками, расстояние / между ВШП, размеры звукопровода выбираются исходя из требований на величину вносимого затухания и уровня ложных сигналов. [1]
У - апертура преобразователя; начало оси у совпадает с центром преобразователя. Выбор знака в выражении (7.13) зависит от того, к какой из шин подключен электрод. Считается, что ток неизменен по ширине электрода. [2]
В этом смысле действие случайного отклонения чувствительности в пределах апертуры преобразователя аналогично эффекту повышения степени размороженности турбулентности в сравнении с ее фактическим значением. [3]
Итак, распределение поля суммарной частоты в направлении оси у имеет дифракционный характер, если апертура преобразователя ограничена в обоих направлениях. Это, очевидно, является отражением установленного выше факта ( если апертура велика, хотя бы в одном направлении, то изображение в фокусе РВ2 формируется при наличии геометрических аберраций ( гл. [4]
Мощности Psl и PS2 поверхностных волн считаются малыми, а ширина параметрического электрода W предполагается равной апертурам преобразователей. Постоянная величина М зависит только от свойств материала и ориентации подложки и обычно выбирается такой, чтобы данное уравнение давало среднеквадратическое значение напряжения холостого хода. [5]
Исходными данными для расчета топологии ВШП являются скорость ПАВ на свободной поверхности /, коэффициент электромеханической связи ks, апертура преобразователя WQ, расстояние между контактными площадками WW; расстояние Д между активной - и пассивной частями электродов по оси Y, подтравка по дли е Дг / n и по ширине АЬп электродов, соотношение электрод / по-лупериод dn bnIS n, масштаб М для нарезки фотооригинала фильтра или изготовления промежуточного фотошаблона. [6]
Здесь V i - приложенное направление, a psj () - потенциал ПАВ на порте У, усредненный по апертуре преобразователя. [7]
Аподизованный преобразователь и его импульсная характеристика. [8] |
Будем считать, что в преобразователе А источники существуют только в области, где электроды различной полярности перекрываются. Обозначим длину m - го источника через ат и предположим, что длина W самого протяженного из них равна апертуре преобразователя В. Рассмотрим вначале пучок ПАВ, возбуждаемый m - м источником преобразователя А. Предположим, что дифракция пренебрежимо мала. Если d - расстояние между преобразователями, то координаты х к х связаны соотношением х - х - - d, так что для преобразователя В эта волна становится падающей волной вида. [9]
Перечисленные недостатки объясняют появление большого количества модифицированных методов для расчета дифракционных полей в тех случаях, когда метод параболического - приближения неприменим. Эффективный метод расчета дифракционных полей для непараболических материалов был предложен в [87] на основе уравнений теории поля. Автором этой работы было получено выражение для дифракционного коэффициента, равного отклонению электрических потенциалов в точке наблюдения, рассчитанных с учетом и без учета конечных размеров апертуры излучающего преобразователя. [10]
Гетеродинный зонд. [11] |
Данный параграф посвящен теории дифракции ПАВ, распространяющихся вдоль неметаллизированной поверхности в предположении, что единственно возможное волновое движение в системе представляет собой невытекающую ПАВ. Основная цель - получить соотношения для расчета дифракционных эффектов в устройствах на ПАВ. Поле ПАВ, генерируемой однородным преобразователем, имеет много общего с полем, возникающим при дифракции светового потока на щели. В частности, имеется ближняя зона излучения или зона дифракции Френеля - область, в которой ширина пучка примерно равна апертуре преобразователя. В дальней зоне, или зоне дифракции Фраунгофера, пучок расходится под углом, зависящим от апертуры преобразователя. Во многих встречно-штыревых устройствах приемный преобразователь находится в ближней зоне излучения передающего преобразователя, так что дифракционные эффекты относительно невелики. Тем не менее, на практике с ними часто приходится считаться, обенно если велики требования к точности воспроизведения частотной характеристики. [12]