Апкер

Cтраница 1

Апкер и Тафт [349, 350] наблюдали фотоэлектронную эмиссию на сублимированных пленках / С / и Rbl и монокристаллах / С /, которая, по их данным, обусловлена ионизацией F-центров посредством экситонов. Упомянутыми авторами установлено, что в кривых спектрального распределения фотоэлектронной эмиссии положение максимумов хорошо совпадает с первой полосой собственного поглощения исследованных соединений. Кроме того, обнаружены небольшие пики, связанные с поглощением в ( З - полосе. [1]

Таким образом, опыты Апкера и Тафта весьма убедительно доказали возможность передачи энергии в щелочно-галоидных кристаллах от основной решетки к примесным центрам при помощи экситонного механизма миграции энергии. Однако наличие такой миграции энергии является при комнатной температуре еще недостаточным для возбуждения центров свечения. Измерение спектрального распределения выхода фотолюминесценции в щелочных иодидах, активированных таллием [351, 352] показывают, что при комнатной температуре возбуждение центров свечения путем переноса энергии при помощи экситонов происходит с малой эффективностью. [2]

Хейнеман [136] повторил эксперименты Апкера и др. [130], использовав фотоэлектрический метод задерживающего потенциала, но проводил их не с напыленными в вакууме пленками, а с поверхностями германия, полученными методом раскола кристалла. [3]

Те являются примесными полупроводниками, и Апкер, Тафт и Диккей [5] согласны с Сканлоном и Ларк-Хоровитцем [6], считая, что Те и в виде напыленной пленки и в массе является обычно р-полупроводником. [4]

Характерным признаком, присущим изученным здесь элементам, и в то же время признаком, который отличает их от металлов, является недостаток электронных состояний вблизи уровня Ферми. В отношении металлоидов этот факт с очевидностью установлен в работе Апкера, Тафта и Диккея [3], посвященной изучению фотоэлектрических свойств. Таким образом, соотношение между активностью к СЪ и плотностью уровней, по-видимому, весьма строгое. Это соотношение является разумным, так как для легкого образования отрицательных ионов вполне может требоваться присутствие значительного числа электронов в более высоких состояниях. [5]

Схема энергетических уровней в опытах по определению фотоэмиссии, если приложенная разность потенциалов равна нулю. [6]

Особый случай имеет место, когда энергия падающего кванта равна пороговой энергии V0 - Vs. Если энергия кванта растет, то V0 смещается в сторону более отрицательных значений. Экспериментальный график зависимости УО от hv является фактически линейным. Апкер, Тафт и Дикки [4] изучали распределение фотоэлектронов по энергиям, которое может быть получено из экспериментальных кривых дифференцированием тока по напряжению. Значение разности энергий между уровнем Ферми и потолком валентной зоны может быть в принципе выведено из уравнения ( 13), но на практике в определении У о получаются значительные ошибки. [7]

Страницы: 1