Исследование - кристаллизация
Cтраница 2
Исследованиями кристаллизации сплавов двойных систем также установлено, что в сравнительно однородных твердых растворах также образуется сетка новых границ. По мере расширения температурного интервала кристаллизации, увеличения дендритной неоднородности и возникновения микроусадочных дефектов границы проявляются слабее. При образовании вторичных выделений в виде неравновесных эвтектик также происходит частичное или полное подавление процесса образования новых границ. Возникновение новых границ связывается с присутствием в литом металле большого количества несовершенств в виде дислокаций и вакансий, которые перемещаются и группируются в отдельных участках металла. Эти границы образуются в температурном интервале ниже реального солидуса, причем образование кристаллитов, окруженных новой границей, происходит путем последовательного развития этой границы. Сетка новых границ пересекает кристаллиты в произвольных направлениях и распространяется в их внутренние объемы. Локальное напряженное состояние, например локальные растягивающие напряжения, увеличивает скорость возникновения новой границы. Известно, что появление новых границ, связанное с уменьшениями свободной энергии искаженной кристаллической решетки, может быть обусловлено процессами рекристаллизации и полигониза-ции. [16]
Для исследования кристаллизации можно использовать резонансное поглощение энергии электрического поля, связанное с ориентацией диэлектрических элементов ( диполей) в исследуемом веществе. В полимерах такими диполями могут являться как группы атомов или звенья цепи, так и целые сегменты. [17]
Для исследования кристаллизации используют не только изотермическое изменение напряжения, но и его температурную зависимость. Известно, что равновесный модуль упругости для эластомера в высокоэластическом состоянии линейно убывает с температурой. [18]
 |
Схема установки для исследования быстрой сокристаллизации. 1, 2 - сосуды для реагентов. з - смеситель. - трубчатый кристаллизатор. S - отводы с фильтрами. [19] |
Для исследования кристаллизации, протекающей за время менее 1 мин, предложено два способа. [20]
 |
Схема кристаллизатора для непрерывного исследования сокристаллизации радиохимическим методом. [21] |
Для исследования кристаллизации, протекающей за время более 1 мин, состав фаз обычно определяют путем отбора проб кристаллов и раствора ( пара) и последующего их анализа или путем непрерывной регистрации количества примеси и кристаллизанта в среде. [22]
Для исследования кристаллизации каучуков и резин можно применять методы, разработанные для исследования кристаллизации полимеров и низкомолекулярных веществ. Условно эти методы можно разбить на две группы: структурно-физические и механические методы; последние находят особенно широкое применение для эластомеров. [23]
Для исследования кристаллизации стекол и полиморфизма соединений в системах As-S и As-Se при высоких давлениях в качестве исходного вещества были взяты стекла различных составов, кристаллические сера, As4S4, As2Se3, синтезированные по методике, описанной в работе [12], и природный минерал аурипигмент. [24]
При исследовании кристаллизации из расплава, с другой стороны, Андерсон [13] установил, что низкомолекулярные фракции с молекулярной массой, не превышающей 12 000 ( что соответствует длине цепи около 1000 А), образуют кристаллы с - выпрямленными цепями. [25]
При исследовании кристаллизации под атмосферным и высоким давлением [101] были получены монокристаллы ПТФХЭ из раствора в n - ксилоле и из расплава. [26]
При исследовании кристаллизации под-атмосферным и высоким давлением [101] были получены монокристаллы ПТФХ. [27]
При исследовании кристаллизации под атмосферным и высоким давлением [101] были получены монокристаллы ПТФХЭ из раствора в n - ксилоле и из расплава. [28]
При исследовании кристаллизации стекол Виллгаллис [1] ориентировочно изучил частную тройную систему Na2Si03 - Na2Si205 - NaF. Обнаружен ранее не описанный эффект превращения метасиликата натрия. Система относится к простым эвтектическим без образования новых соединений. [29]
 |
Качественная оценка кристаллизационной способности стекла. 1-кристаллизации нет. 2-кристаллическая пленка. 3-кристаллическая корка. 4 - корка и отдельные кристаллы. 5-сплошная кристаллизация. [30] |
Страницы: 1 2 3 4