Cтраница 1
Исследования полупроводниковых материалов предъявляют особенно жесткие требования к чувствительности. [1]
Исследования полупроводниковых материалов привели к созданию в недавнем прошлом полупроводниковых приборов, которые благодаря своим малым размерам, высокой надежности и прочности, а также экономичности успешно заменяют электронные и ионные приборы в большинстве схем автоматики и промышленной электроники. Вместе с тем в настоящее время полупроводниковые приборы из-за имеющихся еще недостатков их характеристик ( главным образом, зависимости параметров от температуры) не могут полностью вытеснить электронные и ионные приборы. [2]
В этих двух вопросах исследования полупроводниковых материалов соприкасаются с физической химией. [3]
При использовании когерентного излучателя на Достоверность результатов исследований полупроводниковых материалов по предлагаемой методике заметное влияние оказывают интерференционные эффекты. [4]
Рассмотрение жидких и стеклообразных полупроводников в рамках общей задачи исследования полупроводниковых материалов представляется вполне закономерным. Для этого требуется создание теории более общей, чем зонная теория, а также и построение новых математических методов. [5]
Рассмотрение жидких и стеклообразных полупроводников в рамках общей задачи исследования полупроводниковых материалов представляется вполне закономерным. [6]
За последние 20 лет советские ученые сделали большой вклад в отечественную и мировую науку в области развития полупроводниковой техники и исследования полупроводниковых материалов и приборов. Тем не менее нельзя сказать, что наши знания в области полупроводников и полупроводниковых приборов являются достаточно совершенными. Нужна еще постоянная кропотливая работа для того, чтобы полупроводниковые приборы полностью проявили все свои потенциальные возможности. [7]
В настоящее время силовая полупроводниковая электроника представляет собой довольно обширную область науки и техники, охватывающую большой круг вопросов получения и исследования полупроводниковых материалов, физических основ и принципе:: дсйстси. Естественно, что весь этот круг вопросов не может быть освещен в пределах одной книги. Настоящий учебник написан в соответствии с программой курса для средних специальных учебных заведений по специальности Силовые полупроводниковые приборы и преобразовательная техника. Целью настоящей книги является ознакомление читателя с основными физическими процессами, происходящими в силовых полупроводниковых приборах, с их параметрами и особенностями конструкции. При изложении материала предполагалось, что читатель знаком с основами электротехники и физики полупроводников. [8]
В практикум включены работы по физике и технологии полупроводниковых материалов, структурному анализу, физике и применению полупроводниковых приборов, а также по методам исследования полупроводниковых материалов и приборов. [9]
Для измерения высоких и сверхвысоких давлений ( до 30 - Ю8 Па) используются манганиновые преобразователи. Ведется также исследование полупроводниковых материалов, барические коэффициенты которых значительно выше. [10]
Одной из самых распространенных методик исследования полупроводниковых материалов, дающей возможность определить их важнейшие параметры, являются холловские измерения. [11]
Так как концентрации примесей в полупроводниках обычно составляют незначительные доли процента ( зачастую миллионные и десятимиллионные), то обычные методы анализа степени очистки не могут дать никаких результатов. Поэтому было затрачено много трудов на разработку методов исследования полупроводниковых материалов. [12]
Параметры неравновесных носителей заряда характеризуют электрофизические свойства полупроводникового материала и во многом определяют возможности его использования для изготовления полупроводниковых приборов. Кроме того, измерение этих параметров является важным направлением исследования полупроводникового материала. [13]