Исследование - оксидные
Cтраница 1
Исследования свободных оксидных слоев, формованных в электролитах, не растворяющих окись алюминия, при напряжениях от 5 до 50 в, выполненные Я. М. Ксендзовым при помощи электронного микроскопа, приводят к выводу, что в этих слоях не наблюдается пор даже при наибольших увеличениях, достигаемых электронным микроскопом. [1]
Таким образом, исследование оксидных слоев толщиной до 0 05 мк, формованных на алюминии в электролитах, не растворяющих окись алюминия, не позволяет установить наличия в них пор, имеющих диаметр, превышающий разрешающую силу электронного микроскопа. [2]
Таким образом, исследования оксидных слоев толщиной до 0 05 мкн, формованных на алюминии в электролитах, не растворяющих окись алюминия, не позволяют установить наличия в них пор, имеющих диаметр, превышающий разрешающую силу электронного микроскопа. [3]
Приведенные в настоящем параграфе результаты исследования оксидных слоев на вентильных металлах открывают перспективу нового использования этих слоев с целью создания малогабаритных стабильных конденсаторов без электролита для низких рабочих напряжений. [5]
 |
Глубина коррозии сталей в продуктах сгорания назаровского угля в зависимости от тейпературы за 100 тыс. ч. [6] |
Это особенно выражено при температурах выше 550 С, что видно и из исследований оксидных слоев на металле. С повышением температуры от 550 до 600 С интенсивность коррозии увеличивается примерно в 5 - 6 раз. [7]
Емкость двойного электрического слоя сильно уменьшается в присутствии фазового слоя, особенно если в пленке отсутствуют поры, что также может быть использовано для исследования оксидных слоев. Многие оксидные слои обладают полупроводниковыми свойствами и при их освещении возникают фотоэлектрохимические явления, связанные с тем, что поглощаемая полупроводниковым слоем световая энергия может быть далее передана частицам на границе электрод - раствор, участвующим в электрохимической реакции. Измерения сдвигов потенциала или изменений плотности тока, протекающего через электрод в потенциостатических условиях, при действии света также используются для исследования оксидных слоев. [8]
Эффект увеличения интенсивности полос поглощения в ИК-спектрах отражения-поглощения диэлектрических слоев в структурах металл - диэлектрик - полупроводник с возрастанием показателя преломления полупроводника удается применить и для исследования оксидных слоев на поверхности полупроводников. В этом случае на пластину полупроводника с исследуемым слоем наносят механическим путем слой жидкого металла, например сплава In-Ga, и регистрируют высококонтрастный ИК-спектр отражения-поглощения слоя на границе раздела полупроводник - металл. [9]
Емкость двойного электрического слоя сильно уменьшается в присутствии фазового слоя, особенно если в пленке отсутствуют поры, что также может быть использовано для исследования оксидных слоев. Многие оксидные слои обладают полупроводниковыми свойствами и при их освещении возникают фотоэлектрохимические явления, связанные с тем, что поглощаемая полупроводниковым слоем световая энергия может быть далее передана частицам на границе электрод - раствор, участвующим в электрохимической реакции. Измерения сдвигов потенциала или изменений плотности тока, протекающего через электрод в потенциостатических условиях, при действии света также используются для исследования оксидных слоев. [10]
Емкость двойного электрического слоя сильно уменьшается в присутствии фазового слоя, особенно если в пленке отсутствуют поры, что также может быть использовано для исследования оксидных слоев. Многие оксидные слои обладают полупроводниковыми свойствами и при их освещении возникают фотоэлектрохимические явления, связанные с тем, что поглощаемая полупроводниковым слоем световая энергия может быть далее передана частицам на границе электрод - раствор, участвующим в электрохимической реакции. Измерения сдвигов потенциала или изменений плотности тока, протекающего через электрод в потенциостатических условиях, при действии света также используются для исследования оксидных слоев. [11]
Страницы: 1