Длина - диод
Cтраница 1
 |
Кремниевые р - i-л-диоды с фронтальным освещением ( а и мезаструктуры с боковым освещением ( б. [1] |
Длина диода по лучу составляет несколько миллиметров. Так как размеры светочувствительной площадки в этом случае ограничиваются шириной г - области, то нужна хорошая фокусировка луча. Обеспечивается почти-полное поглощение света. Если i-область имеет преимущественно л-тип проводимости, то р-г - / г-структуру иногда называют р - v - - диодом, и р-я-п-диодом, если высокоомная область р-типа проводимости. [2]
Преимуществом режима ОНОЗ является независимость рабочей частоты от длины диода. Это, во-первых, позволяет изменять частоту в интервале (6.15) простой перестройкой внешнего резонатора и, во-вторых, брать диоды большей длины, к которым можно подводить большие напряжения от источника питания и соответственно получать большие мощности переменного сигнала. Кроме этого, режим ОНОЗ позволяет работать на более высоких частотах, чем пролетный режим. [3]
Поскольку напряженность электрического поля в домене с увеличением длины диода растет и при определенной длине диода уже при пороговом напряжении достигает Еп крит, для данной концентрации материала существуют граничные длины диодов, при которых еще возможна их устойчивая работа при пороговых напряжениях. [4]
Для определения р и / п ( 0) изменялась длина исходного длинного диода путем последовательного откалывания слоев толщиной 150 - 300 мкм. [5]
В условиях насыщения рост мощности генерации в активном слое вследствие увеличения длины диода полностью компенсируется увеличением внутренних потерь. В то же время мощность генерации в расчете на единицу длины ST / l как функция к - при / const имеет максимум. Его положение легко найти, если производную от Sr / l по кг приравнять нулю. [6]
При неизменных других параметрах и / const мощность генерации (21.5) с увеличением длины диода / вначале возрастает, а затем стремится к своему предельному значению. [7]
Распределение потенциала в цилиндрическом диоде зависит только от расстояния от катода при условии, что длина диода много больше радиуса анода; это позволяет пренебречь искажением поля у концов анода. [8]
Удельная проводимость р-области полупроводникового диода ар100 См / см, удельная проводимость / г-обла-сти ап1 См / см, площадь поперечного сечения Я0 5Х X 1 мм2 - длина диода 2 мм, переход находится посередине. [9]
Такая отрицательная проводимость частотно независима в отличие от отрицательной проводимости при предыдущем виде усиления. Это справедливо, если длина домена значительно меньше длины диода. L, переходит в зависимость ОДП от частоты для предыдущего вида усиления. Такие усилители называются нестабильными. [10]
 |
Зависимость плотности порогового тока / п от обратной длины резонатора GaAs лазерного диода.| Зависимость Sr / / от длины диода при /, а / см2. 1 - 2000. 2 - 3000. [11] |
Максимум кривых в соответствии с (21.19) сдвигается с увеличением плотности тока в сторону меньших длин диодов. Вероятно, в этом случае внутренний квантовый выход генерации начинает зависеть от длины диода. [12]
Частота генерации генераторов Ганна зависит только от расстояния между электродами. Поэтому ограничения частотного диапазона генераторов Ганна определяются тем, в каких пределах можно практически изменять длину диодов. Как отмечалось в § 5.2, существуют определенные трудности в создании генераторов Ганна с длиной диода более 100 и менее 2 мкм. [13]
Для простоты примем, что потенциал катода равен нулю, а потенциал анода равен Fa. Ток в лампе переносится электронами, испускаемыми раскаленным катодом. Будем считать, что длина диода намного превосходит его радиальные размеры, так что электрическое поле можно считать чисто радиальным. [14]
В полупроводниковых лазерах возможности значительного увеличения удельной мощности генерации Wr ( V) ( вт / см3) практически исчерпаны. Плотность выходящего потока излучения столь высока, что на зеркалах резонатора образуются выколки и наступает деградация всего объема активной области. По этой причине нецелесообразны значительное увеличение длины диода или разработка любых других конструкций, в которых будет достигаться более высокая плотность потока излучения. Остается единственный путь: увеличение площади р - n - перехода за счет увеличения ширины диода и эксплуатации лазера в мягком режиме работы. [15]
Страницы: 1 2