Cтраница 3
Приведенные результаты расчета распределения концентрации примесных атомов для двустадийных диффузионных процессов позволяют заключить, что при формирований базовых областей большинства эпитаксиально-планарных транзисторов интегральных схем диффузия идет из ограниченного источника. Это непосредственно следует из соотношения длительностей и коэффициентов диффузии, характеризующих процессы загонки и разгонки. Однако заметим, что формулы, описывающие распределение диффундирующих атомов примеси, были получены в предположении, что диффузионный процесс осуществляется из источника, содержащего примеси в элементарном состоянии. В технологии изготовления серийных интегральных схем донорные и акцепторные примеси, как правило, диффундируют соответственно из химических соединений фосфора и бора, причем одновременно с процессами диффузии на обеих стадиях происходит окисление поверхности кремниевой пластины. Для этого будем пользоваться некоторыми эффективными величинами коэффициентов диффузии фосфора и бора, которые несколько отличаются от значений, приведенных в большинстве работ, посвященных исследованию диффузионных процессов. [31]