Исследование - комбинационное рассеяние
Cтраница 2
Недавно было предпринято другое исследование упорядочения длинных осей молекул [20], которое представляется весьма интересным и в принципе дает большую информацию. Это исследование комбинационного рассеяния от С N-группы, которая связана с концом молекулы, приблизительно параллельной оси стержня. [16]
Наиболее однородными являются фотопластинки малой чувствительности, которые рекомендуется применять для эмиссионного спектрального анализа. Однако для исследования комбинационного рассеяния света такие пластинки совершенно не пригодны. Поэтому мы считали необходимым выяснить роль флуктуации фона именно на пластинках с высокой чувствительностью, обычно применяемых в работе. [17]
Очень хорошей иллюстрацией прогресса, достигнутого в этой области оптической спектроскопии при использовании лазерной техники, является история исследования комбинационного рассеяния в кристаллах закиси меди. Гросс, изучая в 50 - х годах новые оптические явления в закиси меди, связанные с экситонами, мечтал об исследовании комбинационного рассеяния в этом кристалле. [18]
Мощные оптические квантовые генераторы применяются как для испарения пробы, так и для возбуждения атомных оптпч. Излучение рубинового лазера может быть получено в виде достаточно узкой спектральной линии, а ширина линии газового лазера во много раз меньше естеств. Это делает пх пригодными для исследования рэлегвского и комбинационного рассеяния света. [20]
Регистрация рассеянного излучения в направлении, перпендикулярном к лазерному пучку, позволяет несколько улучшить геометрические характеристики измерительной системы с импульсным лазером и снизить предел обнаружения газовых загрязнителей. Некоторую потерю чувствительности из-за меньшего значения мощности излучения в непрерывном режиме генерации можно частично компенсировать, используя кюветы с многократным прохождением лучей и повысив эффективность собирания света, как это делается при исследованиях комбинационного рассеяния. [21]
В стационарных условиях более удобно работать с лазерами непрерывного действия, осуществить амплитудную модуляцию лазерного излучения с помощью вращающегося обтюратора и вместо сложной системы счета фотоэлектронов с накоплением данных использовать более простую технику усиления сигнала и последующего синхронного детектирования. В настоящее время такая возможность еще не реализована. Некоторую потерю чувствительности из-за меньшего значения мощности излучения в непрерывном режиме генерации можно частично компенсировать, используя кюветы с многократным прохождением лучей и повысив эффективность собирания рассеянного света, как это делается при исследованиях комбинационного рассеяния. [22]
В этом разделе мы обсудим спектры комбинационного рассеяния сравнительно простого класса аморфных полупроводников, а именно тех, в которых химическая связь приводит к образованию тетраэдральной координации. Сначала будут описаны основные свойства изучаемых материалов, а затем приведено краткое изложение основных экспериментальных данных об аморфных Si и Ое. В заключение кратко обсуждается информация, которую можно получить из исследований комбинационного рассеяния света в других аморфных полупроводниках с тетраэдральной связью. [23]
С для Si и 250 С для Ge, хотя на практике пределы температуры могут изменяться на сотни градусов в зависимости от метода приготовления, материала подложки, скорости осаждения и присутствия примесей. Обычно используемыми методами приготовления [5.1, 5.18] являются испарение с последующим осаждением пара, катодное распыление при постоянном или переменном токе в разряде в инертном газе, ионная бомбардировка кристаллической поверхности с большой дозой облучения, пиролитическое разложение и разложение в тлеющем разряде силана ( SiH4) или германа ( GeH) и электролитическое осаждение. В общем случае аморфные Si или Ge но могут быть получены с помощью обычного процесса приготовления стекла посредством охлаждения расплавленной фазы для образования вязкого стеклообразного состояния. Это обусловлено тем, что атомы Si и Ge не связаны ковалентно в жидкой фазе и расположены в плотно упакованной металлической конфигурации. Близкий порядок в твердых аморфных Si и Ge больше похож на их ковалентно связанные кристаллические фазы со структурой алмаза. Это сохранение ковалентной связи ясно видно из исследований комбинационного рассеяния света, описываемых в настоящей главе. [24]
Почти все современные исследования спектров КР кристаллов выполнены при возбуждении линиями 6328 А Не - Ne-ла-зера или 5145 и 4880 А Аг - лазера; возможно также использование некоторых линий Кг - лазера. В идеальном случае для исследования неорганических кристаллов КР-спектрометр должен быть снабжен обоими лазерами. Как правило, Аг - лазер дает более интенсивное излучение, чем Не - Ne-лазер; однако излучение в красной области незаменимо при исследовании многих окрашенных кристаллов, поскольку в красной области они поглощают в меньшей степени, чем в зеленой или синей областях. Излучение этих газовых лазеров плоскополяризовано, следовательно, для вращения плоскости поляризации на 90 требуется полуволновая пластинка. В качестве анализатора вполне пригодна поляроидная пленка. Однако вследствие поляризации излучения на дифракционной решетке поляризационное устройство для исследования комбинационного рассеяния необходимо помещать между анализатором и монохроматором. [25]
С для Si и 250 С для Ge, хотя на практике пределы температуры могут изменяться на сотни градусов в зависимости от метода приготовления, материала подложки, скорости осаждения и присутствия примесей. Обычно используемыми методами приготовления [5.1, 5.18] являются испарение с последующим осаждением пара, катодное распыление при постоянном или переменном токе в разряде в инертном газе, ионная бомбардировка кристаллической поверхности с большой дозой облучения, пиролитическое разложение и разложение в тлеющем разряде силана ( SiH4) или германа ( GeH) и электролитическое осаждение. В общем случае аморфные Si или Ge но могут быть получены с помощью обычного процесса приготовления стекла посредством охлаждения расплавленной фазы для образования вязкого стеклообразного состояния. Это обусловлено тем, что атомы Si и Ge не связаны ковалентно в жидкой фазе и расположены в плотно упакованной металлической конфигурации. Близкий порядок в твердых аморфных Si и Ge больше похож на их ковалентно связанные кристаллические фазы со структурой алмаза. Это сохранение ковалентной связи ясно видно из исследований комбинационного рассеяния света, описываемых в настоящей главе. Спектры комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения а - Si и а - Ge лучше соответствуют модели сетки и могут дать некоторую информацию о параметрах широко применяемых плотных беспорядочных сеток. Однако важно отметить, что не существует какой-либо одной универсальной модели сетки или микрокристаллической модели. Есть надежда, что исследования комбинационного рассеяния света смогут помочь сравнить различные модели с результатами экспериментов. [26]
Страницы: 1 2