Исследование - структура - материал
Cтраница 1
 |
Результаты циклических испытаний образцов. [1] |
Исследования структуры материала показали, что наносимые повреждения приводят к локальной термообработке материала. Имеет место сочетание участков материала с разряженной плотностью упрочняющей фазы, включающих в себя зоны почти полной гомогенизации материала, различной степени перегрева материала и участков с нормальной плотностью фазы. Все это указывает на различную интенсивность перегрева материала вплоть до полного растворения упрочняющей фазы в момент теплового воздействия. Глубина повреждений колеблется в пределах 0 12 - 0 5 мм. [2]
Исследования структуры материала при термоусталостя, проведенные при различных условиях нагружения и нагрева, определяют частные признаки, не дающие общей картины. Так, для сплава нимоник 80 показано, что при высоких температурах цикла йпах разрушение происходит по границам зерен; при снижении 4iax - по зерну. [3]
Исследования структуры материала в разных точках гофра сильфона, изготовленного методом гидравлического формования, показали, что наибольшая деформация отмечается в вершине гофра. Она практически отсутствует в нижней части гофра. По этой причине вероятность разрушения вершины гофра возрастает из-за его утонения, а нижней его части - благодаря отсутствию эффекта упрочнения. [4]
 |
Изменения на поверхности образца из стали 20X13 при циклическом нагру. [5] |
В целом исследование структуры материалов показало, что как стали, так и титановый сплав имеют мелкодисперсную структуру с существенной неравномерностью механических свойств В том случае пСп1И ЖНИ6 атеРиала зернистое, размер зерен мал - примерно 0 01 - 0 015 мм. Расстояние от поверхности, где наблюдаются аномальные механические свойства ( см. табл. 18) в 10 - 20 раз больше размера зерен. Очевидно свойства поверхностного слоя прямо не связаны с размером зерен. О причинах отличия свойств приповерхностных слоев от сердцевинных было указано выше. [6]
При рассмотрении рентгеновских методов исследования структуры материалов легко убедиться в большом разнообразии и широких возможностях этих методов, позволяющих получить представление о фазовом составе, величине кристаллов и степени совершенства структуры кристаллических веществ. [7]
Она инициировала интерес к исследованию структуры материала в поисках пресловутых трещин Гриффитса, обеспечивающих малую техническую прочность материала сравнительно с теоретической. [8]
Микроскопический анализ заключается в исследовании структуры материалов при больших увеличениях с помощью микроскопа. Наблюдаемая структура называется микроструктурой. [9]
Этот способ заключается в исследовании структуры материалов при больших увеличениях с помощью микроскопов. Размер увеличения зависит от цели исследования и структуры сплавов. В одних случаях большие увеличения нецелесообразны, в других, наоборот, являются необходимыми. [11]
Например, тепловизоры пригодны для исследования структуры материалов, прозрачных в области сгюктральной чувствительности ПИ. К таким материалам относятся оптические и ИК-стекла, кварц, фгоропласт, полиэтилен, найлон, кремний, германий, арсенид галлия, текстолит, резина, гетинакс, эбонит, бумага и другие диэлектрики и полупроводники. [12]
Электронная микроскопия может быть отнесена к прямым методам исследования структуры материала. [13]
Отсюда следует два вывода: 1) при исследовании структуры широкопористых материалов, для которых характерен ис-чезающе узкий гистерезис, примыкающий к оси у при p / ps - - l, наиболее целесообразно применять органические адсорбаты с крупным размером молекул и большой величиной снижения упругости пара над вогнутым мениском при данном размере пор; 2) при исследовании структуры тонкопористых адсорбентов решающий критерий для выбора адсорбата - размер его молекул: чем меньше молекула адсорбирующегося вещества, тем наиболее четко проявляется гистерезис, а соответственно более полно и рельефно вскрывается пористая структура. [14]
В-третьих, электронная просвечивающая микроскопия, являющаяся в настоящее время основным способом исследования структуры материала. Достигнутая разрешающая способность позволяет исследовать тонкое строение дислокационных ансамблей, в том числе дислокационных стенок и сеток, которые вызывают переориентацию прилегающих к ним областей. [15]
Страницы: 1 2