Исследование - вольт-амперная характеристика
Cтраница 1
Исследование вольт-амперных характеристик показало, что в результате диффузии акцепторной примеси р - n - переход образуется в слое компенсированного материала высокого удельного сопротивления. [1]
Исследование вольт-амперных характеристик показало, что в результате диффузии акцепторной примеси р - л-переход образуется в слое компенсированного материала высокого удельного сопротивления. [2]
Результаты исследований кулон-вольтных и вольт-амперных характеристик слоев органических жидкостей между металлическими электродами выявили сегментно-электрические свойства и доменную структуру граничных слоев органических жидкостей. Кроме того, было установлено, что смазка, ГС которой имеют лучшую проводимость и сохраняют эти свойства при больших толщинах, формирует более прочные ГС. [3]
 |
Функция плотности. [4] |
Методика исследования вольт-амперной характеристики туннельного диода позволяет экспериментально определить вид хвоста функции плотности состояний. [5]
Результаты исследований кулон-вольтных и вольт-амперных характеристик слоев органических жидкостей между металлическими электродами выявили сегментно-электрические свойства и доменную структуру граничных слоев органических жидкостей. Кроме того, было установлено, что смазка, граничные слои которой имеют лучшую проводимость и сохраняют эти свойства при больших толщинах, формирует более прочные граничные слои. [6]
При исследовании вольт-амперных характеристик, ход которых заранее неизвестен, величину добавочного сопротивления приходится подбирать экспериментально. При этом добиваются, чтобы малому приращению напряжения, приложенного к ПТР, соответствовало малое приращение тока через него. Измерения при снятии вольт-амперных характеристик следует делать только после установления равновесного состояния цепи. [7]
 |
Модели плоских электродов различной ширины.| Набор плоских электродов, имитировавших рельефные детали. [8] |
Проведенные нами исследования вольт-амперных характеристик как в кислых медных электролитах, так и в растворах серией кислоты показали отсутствие закономерной связи между сопротивлением электролита в ванне и величиной покрываемой поверхности при случайных конфигурациях покрываемых поверхностей, даже плоской формы, что, собственно, и следовало ожидать. [9]
В результате исследования вольт-амперных характеристик кар-бидокремниевых диодов в диапазоне температур ( - 70) - ( 500) С было установлено, что они качественно согласуются с теорией, учитывающей инжекцию носителей в сильнолегированные области, однако при температуре ниже 100 С наблюдается расхождение между рассчитанными и измеренными величинами. [10]
В результате исследования вольт-амперных характеристик кар-бидокремниевых диодов в диапазоне температур ( - 70) - ( 500) С было установлено, что они качественно согласуются с теорией, учитывающей инжекцию носителей в сильнолегированные области, однако при температуре ниже 100 С наблюдается расхождение между рассчитанными и измеренными величинами. Такое расхождение не является неожиданным, так как при расчете не принимался во внимание захват носителей центрами прилипания. Однако, как указывалось в [7], учет носителей на ловушках необходим хотя бы для того, чтобы оправдать применимость диффузионной теории для описания явлений в компенсированных слоях SiC высокого удельного сопротивления, в которых диффузионная длина дырок очень мала ( вследствие низкой подвижности и малого времени жизни), а дебаевская длина экстремально велика. [11]
 |
Линейная зависимость величины предельного тока ( по вертикали - 1е в ( а / см2 10 - 3 для ионов от концентрации ( г-экв / л электролита в прилегающих средах. [12] |
Для катионообменных мембран на основании исследования вольт-амперных характеристик установлено явление предельного тока, линейно изменяющегося с концентрацией в соответствии с уравнением ( 11), в то время как в пористых мембранах в этом интервале токов и концентраций предельных токов не наблюдалось. [13]
На рис. 289 приведена экспериментальная установка для исследования вольт-амперной характеристики фотоэффекта - зависимости фототока /, образуемого потоком электронов, испускаемых катодом под действием света, от напряжения U между электродами. [14]
В каких случаях следует учитывать процесс генерации носителей в р-п-пере-ходе при исследовании вольт-амперных характеристик диодов. [15]
Страницы: 1 2