Cтраница 4
Поскольку плотность быстрых поверхностных состояний играет определяющую роль в функционировании элементов интегральных схем, было предпринято огромное количество поисков по снижению этой величины. Как видно из рис. 5.22, заимствованного из [129], усилия технологов не пропали даром. Авторы [193] отмечают перспективность использования метода НЕСГУ для исследования границ с низкой концентрацией Nfs. Этот метод также позволяет оценить параметры ловушек оксидного слоя, обменивающихся зарядами с полупроводником по туннельному механизму. [46]