Длина - канал
Cтраница 1
 |
Упрощенная схема автоматической линии полунепрерывного действия. Сплошными линиями показаны кассеты в стопках и в позициях напыления, пунктирными линиями - в промежуточных ( нерабочих положениях. [1] |
Длина канала всегда должна превышать размер подложки, несколько утопленной в кассете, чтобы вводимый в высоковакуумную камеру объем воздуха над подложкой полностью отсекался кассетой от обеих камер. [2]
Длина канала зависит от приложенного напряжения на канале. Это можно объяснить следующим образом: если напряжение мало, канал очень узкий и приложенное напряжение падает на канале малой длины. При увеличении напряжения ширина канала увеличивается и при той же длине его будет меньшее падение напряжения, так как все увеличенное напряжение распределится на значительно большей длине. Когда напряжение между каналом и прилегающей частью полупроводника будет равно кТ / q, канал оборвется. Однако экспериментально установлено, что этот обрыв возникает уже при напряжении 0 5 в. Так как длина канала зависит от приложенного напряжения, то и сопротивление его также зависит от напряжения. [3]
Длина канала между двумя устройствами каналообразования не должна превышать 2500 км длина составного канала-13900 км. [4]
 |
Упрощенная схема автоматической линии полунепрерывного действия. Сплошными линиями показаны кассеты в стопках и в позициях напыления, пунктирными линиями - в промежуточных ( нерабочих положениях. [5] |
Длина канала всегда должна превышать размер подложки, несколько утопленной в кассете, чтобы вводимый в высоковакуумную камеру объем воздуха над подложкой полностью отсекался кассетой от обеих камер. [6]
Длина канала с односторонним обогревом, несмотря на сравнительно тонкий слой оказалась большой и удельная тепловая нагрузка невысокой. [7]
 |
Экспериментальные зависимости Nu ( Re, 0бщ ( Re и стр ( Re для теплообменной поверхности № 4.| Экспериментальные зависимости Nu ( Re и 0бщ ( Re для теплообменной поверхности № 5. [8] |
Длина канала, характеризующаяся таким параметром рассечения, практически обеспечивает стабилизацию в нем теплового и аэродинамического процессов. [9]
 |
График обобщения опытных данных, приведенных различными исследователями, по критическим тепловым нагрузкам в кольцевых каналах по формуле ( 6. [10] |
Длина канала оказывает существенное влияние на величину 7кР - С увеличением длины канала наблюдается уменьшение критических тепловых нагрузок. [11]
Длина канала с односторонним обогревом, несмотря на сравнительно тонкий слой оказалась большой и удельная тепловая нагрузка невысокой. [12]
 |
SAINT-процесс. Пример процесса самосовмещения при изготовлении. [13] |
Длина канала в полевых транзисторах с затвором Шоттки является важнейшим параметром, определяющим быстродействие элемента. Другой важной величиной является сопротивление между затвором и областями стока и истока, которое определяет величину выходного сопротивления при различных включениях транзистора. [14]
Длина канала транзистора с управляющим p - n - переходом значительно больше, чем у транзистора с управляющим переходом металл-полупроводник. Поэтому напряженность продольного электрического поля в канале у них значительно меньше и падения подвижности с ростом напряжения на стоке не наблюдается. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5