Джессер - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Опыт - это замечательная штука, которая позволяет нам узнавать ошибку, когда мы опять совершили ее. Законы Мерфи (еще...)

Джессер

Cтраница 1


Джессер и Мэтьюс [73] недавно сообщили о результатах исследований полиморфных превращений в монокристаллических кобальтовых пленках, полученных испарением в сверхвысоком вакууме на поверхность ( 001) меди. Наблюдения с помощью электронной дифракции и электронной микроскопии показывают, что если кобальтовая пленка имеет толщину менее 20 А, то она растет как монослой с деформированной решеткой, что обусловлено сопряжением с медной подложкой. Пленка имеет гране-центри-рованную кубическую структуру, подобную структуре подложки. При толщине свыше 20 А генерируются длинные дислокации несоответствия, частично устраняющие разницу параметров кобальтовой и медной решеток. Внутренние дефекты упаковки, обусловленные дислокациями несоответствия, преобразуют гранецентрированную кубическую структуру кобальта в стабильную гексагональную плотноупакованную структуру. Фракция кобальта, переходящая в гексагональную плотноупакованную структуру, зависит от количества диссоциирующихся дислокаций и среднего расстояния, на которое мигрируют частичные дислокации.  [1]

Джессер и Мэтыос [72] отметили, что железо, осажденное на медные подложки при комнатной температуре в условиях сверхвысокого вакуума, растет как монослой, напряженный из-за несоответствия параметров решетки и подложки.  [2]

Опыты Джессера и Элджина [203] показали, что в насадочных колоннах задержка жидкости является экспоненциальной функцией скорости стекания жидкости, причем показатель степени приблизительно один и тот же для насадки любого типа.  [3]

Особенно интересны результаты, полученные Джессером и Ме-тьюзом [154], которые изучили рост тонких слоев железа на монокристалле меди с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Тонкопленочные сэндвичи y - Fe / Cu они получали no - очередным осаждением на NaCl слоев меди ( tK 360 С, h 1000 А) и железа, причем перед осаждением железа подложки охлаждали до комнатной температуры.  [4]

Подчеркнем еще раз, что наблюдения Джессера и Метыоза по поводу псевдоморфизма в тонких слоях железа относятся к пленкам, сконденсированным при комнатной температуре. В этих условиях, как они показали, даже тонкий слой железа не должен диффузионно раствориться в медной пленке-подложке), и следовательно, наблюдаемый эффект нельзя объяснить образованием сплавов.  [5]

По данным Розенблюма [97], а также Джессера и Стиси [98], фотолиз смеси кетена с водородом при комнатной температуре или вовсе не приводит к получению метана, или же метан образуется в небольших количествах.  [6]

Однако, полагая равными dE3 и dEs, Коучмэн и Джессер молчаливо безо всяких оснований одновременно приравняли друг к другу как теплоты dQ T3dS3 и dQ T3dS3, так и приращения площадей АА и dA в разных процессах.  [7]

В случае эпитаксии Pt / Au ( A 3 9 %) псевдоморфные слои образуются, по данным Метьюза и Джессера [153], при толщинах пленки менее 10 А. Дальнейшее утолщение, как и в случае эпитаксии Au / Ag, сопровождается образованием дислокаций несоответствия. В этом случае длина линий дислокаций, отнесенная к единичной площади поверхности раздела, возрастает с утолщением слоя платины. Одновременно на снимках возникает картина муара. Дальнейшее утолщение слоя сопровождается уменьшением периодов картины муара.  [8]

9 Дефекты упаковки на краю дырок золотой пленки.| Механизм генерации дислокаций несоответствия. [9]

Исследования Джессера и Мэтьюса [72, 73] показали, что псевдоморфный рост имеет место на начальной стадии образования пленки в условиях сверхвысокого вакуума, когда параметры решеток осажденного слоя и подложки имеют полное соответствие.  [10]

Однако по мере укрупнения зародышей дислокации несоответствия не остаются неподвижными. Как показали Джессер и др. [149, 151], упругая деформация решетки, связанная с аккомодацией несоответствия, уменьшается с ростом размеров зародышей.  [11]

ВЭТТ, измеренная при 50 % - ном захлебывании, составляла 36 5 см. Было также показано, что поправки на захлебывание ( Лобо) и на содержание материала в установке ( Джессер и Элд-жин) применимы и к дистилляции системы гексафторид урана - перфтордиметилциклогексан.  [12]

В критическом обзоре ГЬшли показано, что явление псевдоморфизма не имеет точного экспериментального подтверждения, так как многие исследователи представили доказательства против него. Недавно Джонс [70] при работе на эмиссионном микроскопе показал, что несколько первых атомных слоев меди, осажденной на вольфраме в высоком вакууме, являются псевдоморфными Шиллер и Фарнсворт [71] при исследовании с помощью метода дифракции электронов малой энергии такого слоя не обнаружили. Совсем недавно Джессер в Мэтьюз [72 - 75] провели изучение роста монокристаллических пленок железа и кобальта на поверхностях ( 100) меди, хрома на поверхностях ( 001) никеля при комнатных и повышенных температурах в высоком вакууме. Они подтвердили псевдоморфный рост железа, кобальта и хрома. Подробности исследований псевдоморфного роста приведены в разд. Хотя по исследованию явления псевдоморфизма работ и немного, однако существует достаточно доказательств того, что материал пленки становится напряженным, так что параметры ее решетки не точно соответствуют параметрам решетки соответствующего ненапряженного монокристалла. Измерения параметров решетки, проведенные Ньюманом и Пэшли [76], для меди, осажденной в вакууме, и химически выраженных пленок AgBr на подложках ( 111) серебра показали, что параметры решетки пленок и AgBr были на 0 75 и 0 50 % меньше, чем параметры соответствующего монокристалла. Эти результаты показывают, что напряжения изменяли параметры решетки пленки, приближая их к параметрам подложки.  [13]

Механизм образования дефектов решетки в монокристаллических пленках недостаточно ясен. Хотя и рассмотрен ряд механизмов, однако экспериментального подтверждения ни один из них не получил. Установлено, что жидкостная коалесценция приводит к рекристаллизации и переориентации первоначальных зародышей, особенно, если они небольшие. Это учитывается при рассмотрении любого механизма генерации дефектов решетки в растущих пленках. Коалесценция зародышей и островков увеличивает дефекты, сглаживающие несоответствие параметров решеток. В последних исследованиях Джессера и Мэтьюса показано, что образование дислокаций несоответствия и дефектов упаковки происходит в результате появления напряжений осажденного слоя.  [14]



Страницы:      1