Источник - накачка
Cтраница 2
При ограниченной мощности источника накачки это приводит к тому, что с ростом амплитуды колебаний глубина модуляции m уменьшается. [16]
В газообразных веществах источником накачки служит постоянное электрическое поле или колебания СВЧ, а в полупроводниковых - электрический ток. [17]
Мощность ИГИ2 отбирается от источника накачки. [18]
Если же в качестве источника накачки используется достаточно узкополосный лазер ( Дрр 1 МГц), то доминирующим будет ВРМБ. В последнем случае максимальная входная мощность [26], передаваемая многокилометровым волокном, будет в сильной степени ограничена именно этим эффектом; в этом случае предельная входная мощность составит несколько милливатт. [19]
 |
Схема рубинового лазера. [20] |
Ксеноновая лампа выполняет роль источника накачки; спектральный состав ее света близок к солнечному. [21]
Очевидно, что модуляция источника накачки должна осуществляться в ограниченных пределах: от порогового значения до максимального, соответствующего наиболее интенсивному излучению. К недостаткам этого вида модуляции следует отнести также зна-чительную нелинейность модуляционной характеристики. [22]
Если лучи света от источника накачки падают на боковую поверхность диэлектрического цилиндра, как показано на рис. VII. [23]
Трубчатые лампы не являются оптимальными источниками накачки для лазеров на красителях. Они обладают сравнительно большой индуктивностью и неравномерностью разряда, что ограничивает возможность получения коротких импульсов и не обеспечивает равномерного и эффективного облучения активного элемента лазера. [24]
В связи с ограниченной мощностью источников накачки в диапазоне миллиметровых вола разностная частота обычно ниже частоты сигнала. [25]
Здесь мощность подается только от источника накачки и распределяется между контурами сигнала и выхода, как это в качестве примера показано на рис. 10 - 27 в. [26]
 |
Кристаллическая структура рубина. а - структура А12О3, б - строение ячейки кристалла рубина ( справа приведены обозначения соответствующих. [27] |
Для улучшения согласования спектра излучения источника накачки со спектрами активного поглощения таких кристаллов применяют метод сенсибилизации активных диэлектриков. Метод сенсибилизации заключается в добавлении в кристалл основы наряду с основными активными ионами ионов другого вида, называемых сенсибилизаторами, роль которых заклю шется в поглощении энергии возбуждения и передаче ее основным ионам. Добавление сенсибилизаторов приводит к расширению эффективной полосы накачки и к повышению эффективности ОКГ. [28]
В связи с ограниченной мощностью источников накачки в диапазоне миллиметровых вола разностная частота обычно ниже частоты сигнала. [29]
Азотный лазер незаменим в качестве источника накачки лазеров на красителях, тогда как водородный лазер позволяет получать наиболее коротковолновое излучение из всех известных в настоящее время лазеров. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5