Источник - напряжение - смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Источник - напряжение - смещение

Cтраница 1


1 Напряжение смещения от отдельного источника. [1]

Источник напряжения смещения работает вхолостую, так как тока в цепи сетки он не создает. Поэтому сухая батарейка может работать весьма долго. Чтобы внутреннее сопротивление сеточной батареи е участвовало в работе схемы, ее шунтируют конденсатором достаточно большой емкости.  [2]

3 Автоматическое напряжение смещения для ламп с катодом прямого и косвенного накала. [3]

Источник напряжения смещения работает вхолостую, так как тока в цепи сетки он не создает.  [4]

Источником напряжения смещения является коллекторная батарея. Для того чтобы настройка колебательного контура не зависила от колебаний напряжения источника, применяется стабилизатор напряжений смещения. Потенциометр R % 0 33 МОм служит для изменения напряжения смещения. Резистор Кг 1 МОм включен для устранения шунтирующего действия на контур источника смещения.  [5]

6 Семейство вы-ходных вольт-амперных.| Условные графические обозначения полевых транзисторов. о - с Я-ЛР-переходом и Я каналом. б-с P - jV - переходом и / V-каналом. в - со встроенным Я-каналом обедненюго типа. г - со встроенным Л / - каналом обедненного типа. д - с индуцированным Я-каналом обогащенного типа. е - с индуцированным Л - каналом обогащенного типа. [6]

Если источник напряжения смещения подключить положительным полюсом к затвору, то под действием электрического поля поверхностный слой полупроводника обогатится электронами, не образуется токопроводящего канала и возрастает запирание транзистора. Токопроводящий канал образуется, когда на затвор будет подан достаточно большой отрицательный готенциал источника напряжения смещения. В этом случае электрическое поле, обедняя поверхностный слой электронами, одновременно обогащает его дырками. Между истоком и стоком образуется своего рода индуцированный ( наведенный полем) канал 5, по которому может протекать ток.  [7]

8 Схема, иллюстрирующая работу транзистора в режиме переключения.| Схема включения транзистора в режиме запирания. [8]

В качестве источника напряжения смещения берется один элемент.  [9]

10 Зависимости входных и выходных напряжений усилителя с положительной обратной связью. [10]

В качестве источника напряжения смещения t / см обычно используется одна из обмоток таходатчика. Сопротивление R необходимо для компенсации параметров транзистора ПП при изменении температуры окружающей среды и обеспечения надежного запуска двигателя при отсутствии напряжения смещения. Сопротивление R3 обеспечивает активное запирание транзистора ППг в режиме отсечки при работе двигателя.  [11]

Средняя точка обмотки через источник напряжения смещения соединена с катодами ламп, поэтому переменные напряжения, подаваемые на сетки ламп Л1 и Л2, оказываются сдвинутыми во времени на полпериода, а по фазе - на угол 180 или, как говорят, находятся в противофазе. Через полпериода лампы поменяются ролями и изменение тока в их анодных цепях будет иметь обратный характер ( фиг.  [12]

Для этого в схему включают источник напряжения смещения. Порог ограничения определяется величиной этого смещения и в зависимости от полярности источника смещения может быть как положительным, так и отрицательным.  [13]

Для изменения порога ограничения последовательно с диодом включают источник напряжения смещения. В аналогичной схеме с ограничением снизу ( рис. 6.19) не достигается четкого ограничения, так как сопротивление открытого диода не равно нулю.  [14]

Для изменения уровня включения в схему ключа вводят источник напряжения смещения Е, как показано, например, на рис. 2.4, а.  [15]



Страницы:      1    2    3    4