Источник - франк
Cтраница 3
Наиболее благоприятные условия для образования дислокаций следующие: кристаллизация из жидкого расплава; фазовая перекристаллизация; рекристаллизация, в результате которой возможно дробление зерен, сращивание блоков, субзерен и зерен; источники Франка - Рида; участки высоких напряжений. [31]
 |
Теоретически рассчитанные величины константы п по различным моделям. [32] |
Они нашли, что для данной плотности дислокаций напряжение, необходимое для разрыва дислокационных связей, возникающих вследствие притяжения, сравнимо ( или слегка больше) с напряжением, требуемым для действия сегмента сетки как источника Франка - Рида. [33]
Определение величин L и Ми Виртман провел на основе соображения о том, что дислокации не будут образовывать одномерные, как предполагалось до сих пор, скопления, а должны иметь форму петель, испускаемых источниками Франка - Рида. Уравнение (10.4) дает приблизительную величину скорости ползучести, если расстояние L равно максимальному радиусу дислокационной петли, а Л тг. Радиус L можно определить тем же способом, что и в разд. [34]
Дислокации преодолевают частицы переползанием. Дислокационный сегмент, действующий как источник Франка - Рида ( afc переползание дислокаций ( б): дислокация, движущаяся перпендикулярно плоскости рисунка ( e) i F - R - источник Франка - Рида. [35]
 |
Схема сдвига. [36] |
Если генерируемые дислокации встретят препятствия, то они будут заторможены. Следующая петля, образовавшаяся около рассмотренного ранее источника Франка Рида, встретит на своем пути не просто препятствие, как первая, а препятствие с осевшей на нем дислокацией. [37]
В настоящее время общепринято считать, что пластическое течение обусловлено размножением дислокаций. Один из возможных механизмов размножения связан с так называемыми источниками Франка - Рида. [38]
Порожденные при застывании металла дислокации пронизывают кристаллическую решетку, образуя объемную сетку. Пересекая плоскости скольжения и частично располагаясь в них, дислокации образуют так называемые источники Франка - Рида. [39]
Такие сегменты могут служить источниками Франка - Рида. Затем допустим, что напряжение изменяется в интервале от значений, достаточных для активаций источников Франка - Рида ( в предположении, что дисперсные частицы отсутствуют), до величин, достаточно высоких для продавливания дислокаций между частицами. [40]
Здесь был описан наиболее простой случай размножения дислокаций в процессе пластической деформации. Однако есть и более сложные случаи, например размножение дислокаций путем множественного поперечного скольжения: встречаются пространственные и спиральные источники Франка - Рида ( см. гл. [41]
Однако под действием многократных знакопеременных нагрузок происходит смещение точечных дефектов, приводящее к росту длины наибольшего сегмента и отрыву всей дислокационной петли. Если приведенное напряжение сдвига г и длина дислокационной петли LN удовлетворяют условию ( 13) [17], то после отрыва от точечных дефектов петля становится источником Франка - Рида и генерирует новые дислокации. При своем движении дислокации могут образовывать новые источники вследствие взаимодействия с дислокациями леса и другими сильными препятствиями. [42]
Дислокации преодолевают частицы переползанием. Дислокационный сегмент, действующий как источник Франка - Рида ( afc переползание дислокаций ( б): дислокация, движущаяся перпендикулярно плоскости рисунка ( e) i F - R - источник Франка - Рида. [43]
Рассмотрим кристалл, имеющий радиус 2 Ly и высоту 2 Не. Один из источников Франка - Рида расположен в его центре. Для того чтобы заблокировать этот источник, необходимо, по крайней мере, еще три других источника. [44]
Внешняя дислокация разрастается-до поверхности кристалла, а внутренняя занимает исходное состояние. После этого весь процесс начинается сначала и будет продолжаться до тех пор, пока приложены внешние напряжения. Число дислокаций, генерируемых источником Франка - Рида, неограниченно, но в общем случае не все внешние дислокационные петли покидают кристалл. Число дислокаций увеличивается до тех пор, пока в результате взаимодействия упругих полей дислокаций суммарное обратное напряжение не сбалансирует критическое напряжение сдвига ТКР, необходимое для действия источника. После этого источник становится неактивным. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5