Cтраница 3
В схеме на рис. 5.2 в в качестве первичного источника электроэнергии используется источник постоянного тока, например генератор постоянного тока или аккумулятор. Источник вторичного электропитания в данной схеме включает в себя предварительный фильтр Ф, конвертор и выходной фильтр Фа. Фильтр Ф подавляет пульсации источника электроэнергии. Конвертор изменяет постоянное напряжение до требуемой величины. Стабилизация напряжения осуществляется за счет регулирования напряжения конвертора, управляемого от устройства У БД. [31]
![]() |
Структурная схе - ма источника электропитания. [32] |
Параметры источников электроэнергии не всегда удовлетворяют изложенным выше требованиям. Назначение источника вторичного электропитания ( ИВП) состоит в передаче электрической энергии от источника электроэнергии к потребителю ( РЭА) с минимальными потерями и необходимым преобразованием количественных и качественных характеристик в условиях возмущающих воздействий. [33]
Микросхемы серий К142 и КР142 - стабилизаторы напряжения, выполненные методом полупроводниковой технологии на основе биполярных транзисторов с изоляцией элементов р-п переходом и диэлектриком. Предназначены для построения источников вторичного электропитания. [34]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р - п импульсные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [35]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [36]
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р - п импульсный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. [37]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пла-нарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. [38]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р - п переключательный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания. Выпускается в ме-таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [39]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания. Выпускаются в ме-таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [40]
Транзисторы кремниевые пленарные структуры р-п - р переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах. Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, КТ505А, КТ505Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т505А - 5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается на этикетке. [41]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планар-ные структуры р-п - р составные усилительные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах напряжения. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [42]
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п - р импульсный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [43]
Транзисторы кремниевые мезашшнарные структуры n - p - п переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. [44]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в схемах источников вторичного электропитания, ключевых схемах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [45]