Внешний источник - напряжение
Cтраница 1
Внешний источник напряжения подключают навстречу ЭДС гальванического элемента. [1]
 |
Графический анализ схемы на 3 - 14. [2] |
Если внешний источник напряжения смещения отсутствует, то следует задаться произвольным изменением напряжения смещения, например на 1 или 2 в, и построить новую линию сеточного смещения. [3]
Если минус внешнего источника напряжения U подключить кр-области, а плюс - к re - области ( рис. 2 - 2, а; в дальнейшем такую полярность приложенного к переходу напряжения будем называть обратной), то под действием электрического поля источника основные носители заряда будут дрейфовать от пограничных к переходу слоев в глубь полупроводника. [4]
Если же внешний источник напряжения подключен плюсом к катоду, а минусом к сетке, то электрическое поле на участке сетка - катод направлено противоположно электрическому полю на участке анод - катод. Такое электрическое поле замедляет поток свободных электронов от катода к аноду. Уменьшается интенсивность потока свободных электронов. Электрическое поле подобного типа называется тормозящим. По мере увеличения напряжения такого знака на участке сетка - катод усиливается тормозящее действие электрического поля. При некотором значении напряжения сетка - катод тормозящее действие электрического поля становится настолько большим, что движение свободных электронов через сетку прекращается. В таком случае говорят, что лампа заперта. Величина напряжения на участке сетка - катод, при котором про исходит запирание электронной лампы, зависит от конструк - ции этой лампы и величины анодного напряжения на ней. [5]
 |
Транзисторы типов р-п - р ( а и п-р - п ( 6. [6] |
При отсутствии внешних источников напряжения в цепях транзистора через переходы протекает небольшой ток основных носителей зарядов ( дырок - из р-области и электронов - из n - области), являющийся током диффузии, и встречный - дрейфовый ток неосновных носителей зарядов. В равновесном состоянии эти токи равны и суммарный ток отсутствует. [7]
При отсутствии внешнего источника напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах возникают запирающие слои с потенциальным барьером, как и на р - га-переходе диода. Через переходы П и Я2 в этом случае проходят встречные потоки основных и неосновных носителей, уравновешивающие друг друга. [8]
При отсутствии внешнего источника напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах возникают запирающие слои с потенциальным барьером, как и на р - п-переходе диода. Через переходы П1 и П2 в этом случае проходят встречные потоки основных и неосновных носителей, уравновешивающие друг друга. [9]
При подключении внешнего источника напряжения Еэ к эмиттерному переходу ( положительным полюсом к эмиттеру, отрицательным - к базе) и при замкнутых накоротко электродах коллекторного перехода этот переход окажется прямо смещенным, разность потенциалов уменьшится на ФБ ФО ЗБ, начнется движение носителей - инжекция - дырок из р - в n - область. В области базы часть носителей рекомбинирует с электронами, поступающими от источника ЕЭ, другая часть хаотически блуждая, приблизится к коллекторному переходу и свободно пройдет через него при коллекторе, соединенном с базой. [10]
 |
Строение р - л-перехода и диаграммы потенциальной энергии W. [11] |
При включении внешнего источника напряжения U равновесие в барьерном слое нарушается. При обратном включении плюс источника напряжения подключается к области л-проводимости ( рис. 25, б), электроны и дырки движутся в обратном направлении, стремясь покинуть барьерный слой. Носителей в зоне р - л-перехода мало, его сопротивление велико, и ток, протекающий через переход, мал. [12]
Во втором случае внешний источник напряжения вызывает противоположно направленные электродные реакции и протекает электролиз. Поэтому вместо названия гальванический элемент тогда пользуются названием электролитическая ячейка. В электрохимических методах анализа, основанных на использовании электродных процессов, применяют различным образом видоизмененные электролитические ячейки. [13]
Эту работу совершает внешний источник напряжения. Между заряженными разноименно обкладками конденсатора возникает электрическое поле. [14]
Если положительный полюс внешнего источника напряжения подключить к р-зоне, а отрицательный - к п-зоне, то от источника напряжения в р-зону будут поступать электроны, а в и-зону - дырки. [15]
Страницы: 1 2 3 4