Ионный источник

Cтраница 3

Ионный источник п коллектор ионов изготовляют из стекла нирекс. Медную трубку анализатора соединяют со стеклянными частями прибора через ковар. В некоторых случаях коллектор также делают из металла с изоляторами для ввода проводников. [31]

Ионный источник химической ионизации конструктивно аналогичен ионному источнику электронного удара. Однако ионизационная камера первого обладает более высокой герметичностью по отношению к газовому потоку, что необходимо для поддержания перепада давления между ионным источником и окружающим высоковакуумным пространством. Для отвода газа-реактанта, просочившегося из ионного источника, и для поддержания нормального рабочего вакуума ( порядка 10 - 4 Па) приходится использовать высоковакуумные насосы с повышенной производительностью ( разд. [32]

Второй ионный источник приспособлен для измерений с твердыми и жидкими веществами. Испарение в этом случае производится подогревом изучаемого вещества в маленьком платиновом или вольфрамовом тигле, нагреваемом снаружи. [33]

Частичный масс-спектр пептида Z-Val-Gly-OMe при 160 С ( а и 250 С ( б. Оба спектра записаны в процентах от максимального. [34]

Имеются ионные источники с внешним охлаждением, посредством которого можно в некоторой мере контролировать температуру исследуемого образца. [35]

Назначение ионного источника состоит не только в образовании ионов. С его помощью они собираются и ускоряются, а также формируются в пучок ионов, пригодный для масс-спектрометр ического анализа. Во время работы источника приходится сталкиваться с более или менее серьезными ограничениями, которые осложняют оценку результатов и даже приводят к получению неверных данных. Грубо эти ограничения можно разделить на пять групп. [36]

Зависимость сечения ионизации от ускоряющего потенциала для ионизирующих электронов.| Принципиальная схема ионного источника. [37]

Схема ионного источника дана на рис. 1.3. Газообразные и легколетучие вещества поступают в источник из системы напуска. Труднолетучие и термически неустойчивые вещества испаряют непосредственно в источнике и в виде молекулярного пучка направляют в ионизационную камеру. [38]

Поверхности ионных источников обычно прогреваются до 150 - 260 С, а иногда и выше. [39]

Температура ионного источника может существенно влиять на вид масс-спектра, помимо термолиза, предшествующего ионизации. Сравнение масс-спектров, полученных с нагреваемым и охлаждаемым источником, а также при фотонном ударе и ионизации в поле, показывает, что избыточная энергия иона больше, когда он образуется в нагреваемом источнике с ионизацией электронным ударом. Эта избыточная энергия, вероятно, появляется в результате столкновений со стенками и излучения от поверхностей. Обсудим некоторые особенности горячих и холодных ионных источников. [40]

Радиальный магнитный сепаратор. [41]

Из ионного источника ионы попадают в трубку, окруженную двумя цилиндрическими коробками и электромагнитом. Трубка снабжена отверстием, через которое ионы втягиваются ускоряющим полем в коллекторный цилиндр. Прибор так рассчитан, что ионы тяжелого изотопа доходят до наружной стенки этого цилиндра и на ней оседают, тогда как легкие ионы возвращаются и оседают на его внутренней стенке. [42]

Из ионного источника ионы попадают в трубку, окруженную двумя цилиндрическими коробками и электромагнитом. Трубка снабжена отверстием, через которое ионы втягиваются ускоряющим полем в коллекторный цилиндр. Прибор рассчитан так, что ионы тяжелого изотопа доходят до наружной стенки этого цилиндра и на ней оседают, тогда как легкие ионы возвращаются и оседают на его внутренней стенке. [43]

Схема установки ионного внедрения.| Профиль распределения примеси и конфигурация перехода, образующегося в результате. [44]

Из ионного источника ионы внедряемого материала поступают в ускорительную трубу, где разгоняются до требуемых энергий внешним полем. В магнитном масс-сепара-торе из общего пучка выделяются ионы требуемого материала за счет отличия их масс от масс остальных материалов. Система фокусировки и отклонения позволяет получить остронаправленный пучок ионов, перемещающийся по подложке по заданной программе. В приемнике ионов предусматривается подогрев пластин, необходимый для оптимизации условий внедрения и для отжига пластин без развакуумирования. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5