Вторичный источник - электропитание
Cтраница 4
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р - п переключательные. Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизоров, в высоковольтных схемах вторичных источниках электропитания. Транзисторы КТ8121А, КТ8121Б, КТ8121А1, КТ8121Б1 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами, у транзисторов КТ8121А1, КТ8121Б1 коллектор изолирован от корпуса. [46]
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Щотки. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры с обеспечением влагозащиты блоков. Выг-пускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Отрицательный электрод соединен со средним выводом. [47]
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлосте-клянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. [48]
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки. Предназначены для преобразования переменного напряжения на частотах от 10 до 200 кГц во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. [49]
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки. Предназначены для преобразования переменного напряжения на частотах от 1 до 1000 кГц во вторичных источниках электропитания в составе гибридных интегральных микросхем герметизируемой аппаратуры. Бескорпусные без кристал-лодержателя с контактными площадками. Тип диода и схема соединения электродов с контактными площадками приводятся на сопроводительной этикетке групповой тары. [50]
Следует отметить, что улучшение условий охлаждения и отвода рассеиваемой мощности в устройствах и блоках СЭП в значительной степени определяется количеством теплоты, выделяемой отдельными компонентами и узлами СЭП. Поэтому одним из основных требований к устройствам СЭП является реализация в них высокой эффективности, которая достигается в первую очередь повышением коэффициента полезного действия ( кпд) вторичных источников электропитания. [51]
 |
Структурная схема системы электропитания ЕС ЭВМ. [52] |
Перечисленные функции реализуются структурной схемой системы-электропитания ( рис. 15.1), применяемой в машинах ЕС ЭВМ. В этой системе первичное напряжение промышленной сети ПС непосредственно или через агрегат гарантированного электропитания АГП подается на распределительное устройство РУ, с которого в заданной последовательности с помощью блоков управления системой БУС и блоков управления электропитанием БУП сетевое напряжение подается на пульты управления ПУ и вторичные источники электропитания ВИП. При этом центральные и периферийные устройства ЭВМ коммутируются и управляются блоками управления системой, а вторичные источники электропитания - блоками управления электропитанием. [53]
 |
Структурная схема системы электропитания ЕС ЭВМ. [54] |
Перечисленные функции реализуются структурной схемой системы-электропитания ( рис. 15.1), применяемой в машинах ЕС ЭВМ. В этой системе первичное напряжение промышленной сети ПС непосредственно или через агрегат гарантированного электропитания АГП подается на распределительное устройство РУ, с которого в заданной последовательности с помощью блоков управления системой БУС и блоков управления электропитанием БУП сетевое напряжение подается на пульты управления ПУ и вторичные источники электропитания ВИП. При этом центральные и периферийные устройства ЭВМ коммутируются и управляются блоками управления системой, а вторичные источники электропитания - блоками управления электропитанием. [55]
Страницы: 1 2 3 4